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Nexperia宣布推出采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管

半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布推(tui)出(chu)一(yi)(yi)系列采(cai)用新一(yi)(yi)代H2技(ji)術的全新高(gao)壓氮(dan)化(hua)鎵場效應管(guan)。新器件(jian)包含兩(liang)種封(feng)裝,TO-247 和(he)(he)Nexperia專有的CCPAK。兩(liang)者均實(shi)現了更(geng)出(chu)色的開關(guan)(guan)和(he)(he)導(dao)通性能,并(bing)具(ju)有更(geng)好的穩定性。由于采(cai)用了級聯結構并(bing)優化(hua)了器件(jian)相關(guan)(guan)參數,Nexperia的氮(dan)化(hua)鎵場效應管(guan)無(wu)需復雜(za)的驅(qu)(qu)動和(he)(he)控制,應用設計(ji)大為簡化(hua);使用標準(zhun)的硅(gui)MOSFET 驅(qu)(qu)動器也可(ke)以很容易地驅(qu)(qu)動它們。

 

新的(de)氮化鎵技術采(cai)用了貫穿外延(yan)層的(de)過孔,減少了缺(que)陷并且(qie)芯片(pian)尺寸(cun)可縮(suo)小約24%。TO-247 封(feng)裝的(de)新器(qi)件(jian),導通電阻RDS(on)降低到僅(jin) 41mΩ(最大值,25℃的(de)典(dian)(dian)型(xing)值為 35mΩ),同(tong)時具有高的(de)柵級閥值電壓(ya)和低反向導通電壓(ya)。CCPAK封(feng)裝的(de)新器(qi)件(jian),將導通電阻值進(jin)一步降低到39mΩ(最大值,25℃的(de)典(dian)(dian)型(xing)值為 33mΩ)。兩種封(feng)裝的(de)新器(qi)件(jian)均符(fu)合 AEC-Q101 標準(zhun),可滿(man)足汽車應用的(de)要(yao)求。

 

Nexperia氮(dan)化鎵(jia)戰略營銷總監 Dilder Chowdhury表示:“客戶需要導(dao)通(tong)電(dian)(dian)阻RDS(on)為(wei)(wei)30~40mΩ的650V新(xin)器(qi)件(jian),以便實(shi)現經濟高效的高功(gong)率轉換。相(xiang)關(guan)的應用(yong)包(bao)括電(dian)(dian)動汽車的車載充(chong)(chong)電(dian)(dian)器(qi)、高壓DC-DC直流轉換器(qi)和發動機牽引逆變器(qi); 以及1.5~5kW鈦(tai)金級的工業電(dian)(dian)源,比如:機架裝(zhuang)配的電(dian)(dian)信設(she)備(bei)、5G設(she)備(bei)和數(shu)據中心相(xiang)關(guan)設(she)備(bei)。Nexperia持續投資(zi)氮(dan)化鎵(jia)開(kai)發,并采用(yong)新(xin)技術(shu)擴充(chong)(chong)產品組合。首先為(wei)(wei)功(gong)率模塊制(zhi)造商提(ti)供了傳統的 TO-247封(feng)裝(zhuang)器(qi)件(jian)和裸(luo)芯片,并隨后(hou)提(ti)供我(wo)們(men)高性能(neng)的CCPAK 貼(tie)片封(feng)裝(zhuang)的器(qi)件(jian)。”

 

Nexperia 的 CCPAK貼片封(feng)(feng)(feng)裝采用了創新的銅夾片封(feng)(feng)(feng)裝技術來代替內部(bu)的封(feng)(feng)(feng)裝引線。這樣可以減少(shao)寄生損耗,優化電(dian)氣(qi)和熱性能,并(bing)提(ti)高可靠性。CCPAK封(feng)(feng)(feng)裝的氮化鎵(jia)器件提(ti)供頂部(bu)或底部(bu)散(san)熱兩種配置,使(shi)其更通用,并(bing)有助于進一步(bu)改善(shan)散(san)熱。

 

650V TO-247封裝的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封裝的 GAN039-650NBB目前均可提供樣品。

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