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GeneSiC 的(de)下(xia)(xia)一代(dai) 750V G3R™ SiC MOSFET 將提供前所未有(you)的(de)性能水平, 超越同類產品的(de)堅固性和質(zhi)量. 系統優勢包括工作溫度(du)下(xia)(xia)的(de)低通(tong)態下(xia)(xia)降, 更快的(de)切(qie)換速(su)度(du), 功率密度(du)增加, 最(zui)小振鈴 (低電(dian)磁干擾(rao)) 緊湊的(de)系統尺寸. GeneSiC 的(de) G3R™, 提供優化(hua)的(de)低電(dian)感分立(li)封裝 (貼片和通(tong)孔), 經過優化(hua)，可在所有(you)工作條(tiao)件和超快開關速(su)度(du)下(xia)(xia)以最(zui)低功耗運行. 與當(dang)代(dai) SiC MOSFET 相比(bi)，這些器件具有(you)明顯更好的(de)性能水平.

750V G3R 碳(tan)化硅MOSFET

“高效(xiao)能(neng)源使用已成為(wei)下一代功率(lv)轉換器的(de)(de)關鍵交付物，而(er) SiC 功率(lv)器件繼續成為(wei)推動這(zhe)場革(ge)命的(de)(de)關鍵組(zu)件. 經(jing)過多年(nian)的(de)(de)開發(fa)工作(zuo)，以(yi)實現最(zui)低的(de)(de)導(dao)通電(dian)阻和穩健的(de)(de)短路(lu)和雪(xue)崩性(xing)能(neng), 我們很(hen)高興發(fa)布業界性(xing)能(neng)最(zui)佳的(de)(de) 750V 碳(tan)化硅 MOSFET. 我們的(de)(de) G3R™ 使電(dian)力電(dian)子(zi)設計師(shi)能(neng)夠滿足(zu)具有挑戰性(xing)的(de)(de)效(xiao)率(lv), 太陽能(neng)逆(ni)變器等應用中的(de)(de)功率(lv)密度和質量目標(biao), EV 車載充電(dian)器和服(fu)務(wu)器/電(dian)信電(dian)源. 有保證的(de)(de)質量, 由快速周轉和汽車合(he)格的(de)(de)大批量制造支(zhi)持，進一步(bu)增強了他們的(de)(de)價值主(zhu)張(zhang). ” 博士說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC Semiconductor總裁.

特征 –

業界最低的柵(zha)極電(dian)荷 (問G) 和內部柵(zha)極電(dian)阻 (RG(情報局))

最低 RDS(上(shang)) 隨(sui)溫度變化(hua)

低輸出電容(rong) (C我們) 和米勒電容(rong) (C廣東)

100% 雪崩 (UIL) 生產過(guo)程中經過(guo)測試

行(xing)業領先的短(duan)路耐受能力

具有(you)低 V 的快速可靠的體二極管F 和低 QRR

高且穩定的柵極閾值電壓(ya) (VTH) 跨越所有溫度(du)和漏(lou)極偏(pian)壓(ya)條(tiao)件

具有更低熱(re)阻和(he)更低振(zhen)鈴的(de)先進(jin)封裝技(ji)術(shu)

R的(de)制造均勻性DS(上), VTH 和(he)擊穿電壓 (BV)

全面的產品組合和更安全的供應鏈，符(fu)合汽車標準的大批量制造

應用領域 –

太陽的 (光伏) 逆變器

電(dian)動汽車 / HEV車載充電(dian)器

服務器(qi) & 電信電源

不間(jian)斷(duan)電源 (UPS)

DC-DC轉換器

開(kai)(kai)關電源 (開(kai)(kai)關電源)

儲能和電池充電

感應加熱

GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面(mian)向汽車(che)應用 (AEC-q101) 和PPAP功能.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&貿易碳化硅(gui)MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&貿易(yi)碳化硅(gui)MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&貿易碳化硅MOSFET

所有設備均可通過授權GeneSiC代理商購買