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對于 USB Type-C Power Delivery (PD) 3.0，Diodes推出了(le)(le)完整的充電(dian)器套(tao)件。它結合了(le)(le) Diodes 的 ACF（有源鉗位反(fan)激式）控制器與Transphorm的第四代SuperGaN器件和輸入 PFC 級。與 E 模式 GaN 和硅基系(xi)統相比(bi)，該解(jie)決方(fang)案以優化的系(xi)統成本（材(cai)料清單）提供 43 mW 的最(zui)大(da)待機功率(lv)和超(chao)過(guo) 93.5% 的最(zui)大(da)效率(lv)。該解(jie)決方(fang)案預計(ji)將超(chao)過(guo) DOE VI 和 COC Tier 2 效率(lv)要求。

在 USB PD 充電應用中(zhong)，Diodes 的(de)(de) ACF 解(jie)(jie)決(jue)方(fang)案(an)可(ke)以勝過傳統(tong)的(de)(de)反激式轉換器(qi)，并提供比諧振 LLC 半(ban)橋解(jie)(jie)決(jue)方(fang)案(an)低得多的(de)(de)成本。該(gai)套件使用 Diodes 的(de)(de)三個中(zhong)央控制器(qi)和 Transphorm 的(de)(de)兩個 SuperGaN FET：

AP3306 ：高(gao)度集成的 ACF 控(kong)制器(qi)，具有(you)廣泛的保護(hu)功能。

APR340：用于二次側同(tong)步整流的 MOSFET 驅動器(qi)。

AP43771V：具有開/關 N 溝道 MOSFET 控制和保護功(gong)能的 USB Type-C PD 3.0 控制器(qi)。它具有一(yi)個(ge)板載 MCU，該 MCU 具有一(yi)個(ge)虛擬多(duo)可編(bian)程區域(yu)并支持各種快(kuai)速充(chong)電電流配置(zhi)文件(jian)。

兩個TP65H150G4LSG：這(zhe)些(xie)是 650V SuperGaN 器(qi)件，導通電(dian)阻為 150mΩ，PFC 和 ACF 級各一個。

Diodes 現在可應要求(qiu)提供此套件。

有關樣品、詳細規格、價格和交貨報價及更多信息，請聯系當地的Transphorm代理商進行詢問。