Navitas GaNFast IC 于(yu)三(san)年(nian)前首(shou)次向移(yi)動客戶(hu)推出，并已(yi)成(cheng)為(wei)這些市場的(de)(de)主流(liu)顛覆性力量，為(wei)具有超輕量和小(xiao)型化外形的(de)(de)移(yi)動設備提供前所未有的(de)(de)高(gao)效和超快(kuai)速充電。...
氮化鎵 (GaN ) 是一種下(xia)(xia)一代半導體技術，其(qi)運行速度比(bi)傳統硅快 20 倍(bei)，并且在尺寸(cun)和重(zhong)量減半的情況下(xia)(xia)，功率提(ti)高了 3 倍(bei)，充電速度提(ti)高了 3 倍(bei)。...
iQOO 120W GaNFast 充電(dian)器(qi)重(zhong)量僅(jin)為 135 克，是 GaN 充電(dian)歷(li)史上(shang)的另一個里程碑，這意味著(zhu)它在尺寸和重(zhong)量上(shang)與普通的 65W 充電(dian)器(qi)相似。...
新的(de)設(she)計(ji)中心位于(yu)中國杭(hang)州，擁有一支經驗豐富(fu)的(de)世(shi)界級(ji)電力(li)系統設(she)計(ji)師團隊，他們在電氣、熱力(li)和(he)機械設(she)計(ji)、軟件(jian)開發以及(ji)完(wan)整的(de)仿真和(he)原型設(she)計(ji)能力(li)方面具有全(quan)面的(de)能力(li)。...
GaN是下一(yi)代半(ban)導體(ti)技術，其運行速(su)度比傳統(tong)硅快(kuai) 20 倍(bei)，功率增加 3 倍(bei)，節能 40%，充電速(su)度提高(gao) 3 倍(bei)，而尺(chi)寸和重量減半(ban)。...
