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氮化(hua)鎵 (GaN) 功(gong)率(lv)(lv)集成(cheng)電路 (IC) 的行業(ye)領導者 Navitas Semiconductor 宣(xuan)布，大功(gong)率(lv)(lv) GaN 功(gong)率(lv)(lv) IC 樣品現已可(ke)用于首(shou)批全球數據中心、太陽(yang)能和電動(dong)汽車 (EV) 客戶的時間。

Navitas GaNFast™ IC 于(yu)三年前首次向移動客戶推(tui)出，并已成(cheng)(cheng)為這(zhe)些(xie)市場的(de)(de)主流顛覆性(xing)力(li)量，為具(ju)有超輕量和小型化外(wai)形的(de)(de)移動設備提供前所未有的(de)(de)高效和超快速充電(dian)。現在，這(zhe)種突破性(xing)的(de)(de) GaN 功(gong)率(lv) IC 技術(shu)——唯(wei)一(yi)(yi)一(yi)(yi)個單片集成(cheng)(cheng)驅(qu)動、控制、保護(hu)和電(dian)源(yuan)的(de)(de) GaN 半(ban)(ban)導體平臺——首次可用于(yu)在 2kW 至 20kW 功(gong)率(lv)范圍(wei)內運行的(de)(de)應(ying)用，包括數據中心、太陽能逆變器和電(dian)動汽車(che)電(dian)力(li)電(dian)子。這(zhe)一(yi)(yi)發展(zhan)是從傳統硅升級到(dao)下一(yi)(yi)代 GaN 半(ban)(ban)導體到(dao)“電(dian)氣化我們的(de)(de)世界(jie)”以(yi)及(ji)從化石(shi)燃(ran)料過渡到(dao)清潔(jie)電(dian)力(li)應(ying)用的(de)(de)基礎，并影(ying)響高達 2.6 噸/年的(de)(de)二氧化碳2到(dao) 2050 年的(de)(de)排(pai)放量。

GaN 是下(xia)一(yi)代半(ban)導體技術(shu)，其運行(xing)(xing)速(su)(su)度比傳統硅快 20 倍(bei)(bei)，功(gong)率(lv)(lv)增加 3 倍(bei)(bei)，節能 40%，充電(dian)(dian)(dian)速(su)(su)度提(ti)高(gao)(gao) 3 倍(bei)(bei)，而尺寸和(he)(he)(he)重量減半(ban)。Navitas 的 GaNFast™ 電(dian)(dian)(dian)源 IC 集成了(le)(le) GaN 電(dian)(dian)(dian)源和(he)(he)(he)驅(qu)動以及保護(hu)和(he)(he)(he)控制，以提(ti)供簡單、小巧、快速(su)(su)和(he)(he)(he)高(gao)(gao)效(xiao)的性能。新產(chan)品(pin)針對每個大功(gong)率(lv)(lv)市(shi)場進行(xing)(xing)了(le)(le)優(you)化，具有特(te)性、功(gong)能和(he)(he)(he)功(gong)率(lv)(lv)升級，成為真正的 GaNFast 專用集成電(dian)(dian)(dian)路(lu)。

“Navitas Engineering 團隊再次按時(shi)交付了高(gao)性能 GaN 功率 IC，推動了我們的(de)市場擴張，”聯合創始人(ren)兼首席執行(xing)官 Gene Sheridan 說。“這是我們在向(xiang)投資者的(de)財務(wu)路線(xian)圖(tu)中概(gai)述(shu)的(de)道(dao)路上(shang)的(de)又一成功步驟，從我們在 20W 到 300W 移動快速(su)充電器市場的(de)排名第一的(de)位置擴展到高(gao)功率 2kW 到 20kW 以(yi)上(shang)的(de)應(ying)用。”

新產品是經(jing)過驗證的(de) 650/800V GaNFast 平臺的(de)功(gong)率升級、熱(re)增強版(ban)本，出貨(huo)量超(chao)過 3000 萬(wan)臺，報告的(de)現場故障為零。Navitas 獨(du)特(te)的(de)專有(you) GaNFast 集成技術具有(you)內置、快速和(he)準確(que)的(de)過溫、過流和(he) ESD 保護(hu)。

大功率客(ke)戶對 GaN 和 Navitas 的(de)集成(cheng)方(fang)法給(gei)予了響亮的(de)認可(ke)，包括：

數據(ju)中(zhong)(zhong)心(xin)的Compuware：“GaN 是一(yi)(yi)項(xiang)突破性的新技術。Navitas [是] 優秀的合作伙伴，擁有行業領先的 GaN IC。” Navitas 最近宣(xuan)布在杭州建立一(yi)(yi)個專(zhuan)門的數據(ju)中(zhong)(zhong)心(xin)設計(ji)中(zhong)(zhong)心(xin)，并估計(ji)與典型的傳(chuan)統硅解(jie)決方案相比，將(jiang)數據(ju)中(zhong)(zhong)心(xin)從(cong)硅升級到 GaN 將(jiang)節省高達 40% 的能(neng)源，并為(wei)行業節省高達 1.9B 美元/年的電(dian)力(li)成(cheng)本。

太陽(yang)能(neng)中的Enphase Energy：“這是(shi)硅之路(lu)的盡頭。GaN 提供 >10 倍的頻(pin)率(lv)和(he)顯著的成(cheng)本(ben)(ben)優勢。” Navitas 估計(ji)，GaN 功率(lv) IC 可使(shi)微型逆變(bian)器的成(cheng)本(ben)(ben)降低 25%，節(jie)能(neng)高達 40%，與硅相比，安裝成(cheng)本(ben)(ben)回報率(lv)提高了(le) 10% 以上(shang)。

EV 中的Brusa：“Navitas 的優勢在于駕(jia)駛(shi)簡單、高(gao)速(su)、可(ke)靠(kao)性和(he)緊湊的外(wai)形尺寸。” Navitas 估計，GaNFast 產品可(ke)提供 3 倍(bei)的充電(dian)速(su)度和(he) 70% 的節能，從而使續(xu)航里程(cheng)延長 5% 或電(dian)池成本降低(di) 5%。采用 GaN 可(ke)以將全球電(dian)動汽車(che)的采用速(su)度最多加快 3 年，到 2050年將道路部門的 CO 2排放(fang)量減少 20%。

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