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氮化鎵 (GaN) 功率(lv)集成(cheng)電路 (IC) 的(de)(de)行業領導(dao)者(zhe)Navitas Semiconductor宣布，其(qi)采用 GaNSense 技術的(de)(de) GaNFast 功率(lv) IC已(yi)升級以提高效率(lv)，功率(lv)密度，并進入更多(duo)的(de)(de)快速(su)充電器市場(chang)。

GaN是下一代半導(dao)體(ti)技術，其運(yun)行速(su)度比傳(chuan)統硅(gui)快 20 倍，功(gong)率增加 3 倍，節能(neng) 40%，充電(dian)速(su)度提高 3 倍，而尺寸和重量減(jian)半。GaNFast 功(gong)率 IC 集成了 GaN 功(gong)率和驅動以及保護和控(kong)制，以提供簡單、小型、快速(su)和高效的性能(neng)。超過 3000 萬個 GaNFast 電(dian)源 IC 已發貨，報告的現(xian)場故障為零。

采用 GaNSense 的(de)(de) NV613x 和 NV615x GaNFast 電(dian)(dian)源 IC 的(de)(de)“額(e)(e)定(ding)電(dian)(dian)壓(ya)”已從 650V 升級到 700V，以實(shi)(shi)現連續運行(xing)，額(e)(e)定(ding)電(dian)(dian)壓(ya)為 800V，適用于瞬態(tai)條件。更高(gao)的(de)(de)額(e)(e)定(ding)電(dian)(dian)壓(ya)可(ke)實(shi)(shi)現更高(gao)效的(de)(de)電(dian)(dian)力變壓(ya)器電(dian)(dian)路設計，并為世界(jie)上具(ju)有不可(ke)靠、變化廣泛(fan)且(qie)具(ju)有極端電(dian)(dian)壓(ya)尖峰的(de)(de)電(dian)(dian)網(wang)的(de)(de)地區提(ti)供更高(gao)的(de)(de)功能(neng)。自(zi)主(zhu)系統(tong)級監控和反應確保(bao)(bao)在 30 ns 內“檢測(ce)和保(bao)(bao)護”——比離散實(shi)(shi)施快 10 倍。

“GaNFast 功率(lv) IC 已(yi)經在(zai)(zai)移動快速充電器市場(chang)提供了最高的(de)可靠性和最高的(de)性能，”Navitas 的(de)首席運(yun)營官/首席技(ji)術官兼聯合創始人(ren) Dan Kinzer 說。“Navitas 的(de)工程、質量和應(ying)用團隊繼續提供領(ling)(ling)先的(de)下一代(dai)技(ji)術，采用經過(guo)驗(yan)證(zheng)的(de)數據驅(qu)動方法，使客戶能夠在(zai)(zai)電源轉(zhuan)換和快速充電器設計方面進行(xing)積極創新，并進入擴大的(de)市場(chang)我們世界(jie)的(de)更多(duo)領(ling)(ling)域。”

更新(xin)的數據表和可靠性報告可根據 NDA 立即提供給客戶和設計合作伙伴。

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