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Navitas 開設新的設計中心,專注于支持基于 GaN 的數據中心

Navitas 宣布通過開設(she)新的設(she)計中心進軍更高功(gong)(gong)率市(shi)場致力于帶(dai)來(lai)下一代 GaN 功(gong)(gong)率 IC 和相關的高效、高功(gong)(gong)率密度系統,使世界(jie)各(ge)地的數據中心能夠從(cong)硅升級到 GaN,從(cong)而顯著提高節能效果,降低電力成本(ben)并減少 CO 2排放。

 

氮(dan)化鎵 (GaN) 器件是功率(lv)(lv)半導體技術的前沿,其運行速度(du)比傳統硅芯(xin)片快(kuai) 20 倍。Navitas 的 GaNFast™ 電源 IC 集成(cheng)了 GaN 電源、GaN 驅動、保(bao)護和(he)控制(zhi)。高速和(he)高效率(lv)(lv)轉化為(wei)節(jie)能、高功率(lv)(lv)密度(du)、低成(cheng)本和(he)更高可(ke)靠(kao)性方(fang)面的新行業基準。

 

新的(de)(de)設(she)(she)計(ji)中(zhong)心(xin)(xin)位于中(zhong)國杭(hang)州,擁有一支(zhi)經驗豐富的(de)(de)世(shi)界級電力(li)(li)系統設(she)(she)計(ji)師團隊,他(ta)們在(zai)電氣、熱力(li)(li)和(he)機(ji)械設(she)(she)計(ji)、軟(ruan)件開發以及完(wan)整的(de)(de)仿真和(he)原(yuan)型設(she)(she)計(ji)能(neng)(neng)力(li)(li)方(fang)面具(ju)有全(quan)面的(de)(de)能(neng)(neng)力(li)(li)。新團隊將在(zai)全(quan)球范圍內為數據(ju)中(zhong)心(xin)(xin)電力(li)(li)客戶提供支(zhi)持(chi),從概念(nian)到原(yuan)型,再到全(quan)面認證和(he)大規模生(sheng)產。

 

設(she)計(ji)中心(xin)將為全(quan)功能、可生產的數據中心(xin)電(dian)源(yuan)開發(fa)原理圖、布局和固(gu)件。最高功率密度和最高效率的創新解決方(fang)案將 GaN 的價值帶入主流數據中心(xin)。此(ci)外,還將為磁(ci)性(xing)材(cai)料(liao)、熱基板和其他材(cai)料(liao)建立(li)多個合(he)作伙伴關系,以幫助客戶(hu)優化其電(dian)源(yuan)設(she)計(ji)。

 

Navitas 估計,從傳統硅升(sheng)級到(dao)新(xin)的 GaN 可(ke)以節省高達 40% 的能源(yuan),并在(zai)全球范圍內每(mei)年(nian)節省 1.9B 美元的數據中(zhong)心(xin)電(dian)力成本。數據中(zhong)心(xin)電(dian)源(yuan)符合嚴(yan)格的效率(lv)標準(zhun)(zhun),極(ji)端“鈦”級要求在(zai) 50% 負載下達到(dao) 96% 的效率(lv)。這些新(xin)基準(zhun)(zhun)不僅由 GaN 技術實(shi)現,而且還受到(dao)法規的要求,例如歐盟的“指(zhi)令 2009/125/EC,2019 附(fu)件”,該(gai)指(zhi)令規定(ding)數據新(xin)中(zhong)心(xin)電(dian)源(yuan)必(bi)須(xu)從 1 月 1 日起達到(dao)“鈦”級效率(lv)圣, 2023.

 

“納(na)微數(shu)據(ju)(ju)中心團隊擁(yong)有 GaN 功率 IC 的新技(ji)術(shu)技(ji)能,以(yi)及(ji)真(zhen)正的電源(yuan)設(she)(she)計(ji)和認證經驗(yan),”納(na)微中國副總裁兼總經理(li) Charles ZHA 說。“第一個證明點是 1.2kW 的‘Titanium plus’設(she)(she)計(ji),它不僅超過了數(shu)據(ju)(ju)中心電源(yuan)的最(zui)高效率標準,而且經過價值工程設(she)(she)計(ji),成本低于傳(chuan)統硅設(she)(she)計(ji)。在(zai)此(ci)之(zhi)后,它會出現在(zai) 2.2kW 和 3kW 平(ping)臺(tai)上。”

 

1.2kW的(de)(de)設計是與億陽(yang)和杭(hang)州FRD合作開發的(de)(de),目前(qian)正在(zai)評估2022年量產(chan)。斷(duan)電(dian)構(gou)建模(mo)塊加(jia)快(kuai)了原型制作和首(shou)次正確設計的(de)(de)時間。” FRD 電(dian)源事業部總經理 Ray GU 表示:“GaNFast 電(dian)源 IC 對于實(shi)現(xian) Titanium Plus 效(xiao)率至關重要(yao),這是下一(yi)代數(shu)據中心電(dian)源的(de)(de)關鍵里程(cheng)碑。這將有助(zhu)于 FRD 加(jia)強(qiang)其產(chan)品(pin)組合并為企(qi)業客戶提供(gong)全面的(de)(de)解決方案。”

 

“隨著(zhu)數據(ju)和(he)通信繼續呈(cheng)指(zhi)數級增長,數據(ju)中(zhong)心(xin)升級到(dao) GaNFast 電源 IC 以(yi)降(jiang)低成本(ben)、最(zui)大(da)限度地(di)節(jie)省能源并(bing)減(jian)少(shao) CO 2排(pai)(pai)放至關(guan)重(zhong)要(yao),”聯合創始(shi)人兼(jian)首席執行官 Gene SHERIDAN 說。“作為一個關(guan)鍵(jian)的擴張(zhang)市場,我(wo)們在最(zui)近的 IPO 資金之前(qian)就進行了(le)招募(mu),而對我(wo)們數據(ju)中(zhong)心(xin)設計團隊的信任已經(jing)帶(dai)來了(le)回報。通過與世界各地(di)的數據(ju)中(zhong)心(xin)工程(cheng)師合作,我(wo)們可以(yi)加速(su)采用基于 GaN 的數據(ju)中(zhong)心(xin),并(bing)對節(jie)能、電力成本(ben)和(he) CO 2排(pai)(pai)放產生(sheng)重(zhong)大(da)影響(xiang)。”

 

制造 GaN 功(gong)率 IC 的(de) CO 2足跡比硅芯片(pian)低 10 倍(bei),考慮(lv)到用例(li)效率、材料(liao)尺寸和重(zhong)量優勢,每個出貨的(de) GaN 功(gong)率 IC 可以節省 4 kg CO 2。總體而言,到2050年(nian)(nian),GaN 有望實現每年(nian)(nian)減少 2.6 Gton 的(de) CO 2排放(fang)量。

 

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