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鎧俠(xia) (Kioxia，原東(dong)芝半(ban)導體Toshiba)今(jin)天(tian)宣布(bu)推出新一(yi)代(dai)(dai)256GB和(he)512GB UFS 3.1版嵌入(ru)式閃存設備的(de)樣(yang)品(pin)。新產品(pin)封(feng)裝高度分別為0.8和(he)1.0毫米，隨(sui)(sui)機讀取性能(neng)提高約(yue)30%，隨(sui)(sui)機寫入(ru)性能(neng)提高約(yue)40%[1]，相比前代(dai)(dai)產品(pin)更(geng)薄[2]、速度更(geng)快。鎧俠(xia)的(de)新型(xing)UFS設備采用該(gai)公司的(de)第(di)五代(dai)(dai)BiCS FLASH™ 3D高性能(neng)閃存，面向(xiang)包(bao)括高端智能(neng)手機在內(nei)的(de)各種移動應用。

很多采(cai)用(yong)嵌入式閃存的(de)應用(yong)中，除(chu)了對功(gong)耗和空間敏感之外(wai)，仍然需(xu)(xu)要更高的(de)性能和存儲密度(du)，因(yin)此，UFS逐漸(jian)成(cheng)為首選(xuan)解決方(fang)案。從總容量的(de)角度(du)來看(kan)，與e-MMC相比，UFS占絕大部分(fen)的(de)需(xu)(xu)求(qiu)。據Forward Insights[3]的(de)調查結(jie)果顯示，在全球UFS和e-MMC GB的(de)總體需(xu)(xu)求(qiu)中，今年UFS的(de)需(xu)(xu)求(qiu)量幾(ji)乎達到(dao)了70%，而且這(zhe)一數字(zi)還(huan)將繼續增長。

新的UFS 256GB和512GB設備包括(kuo)以下改進：

隨(sui)機讀取性能增加約30%，隨(sui)機寫(xie)入性能增加約40%。

Host Performance Booster(HPB)2.0版(ban)：利(li)用主(zhu)機端(duan)內存存儲(chu)部分(fen)邏輯物理轉換表，從而提(ti)高隨機讀取(qu)性(xing)能(neng)。HPB 1.0版(ban)只(zhi)支(zhi)持(chi)4KB大(da)小地址(zhi)塊(kuai)的訪(fang)問(wen)，而HPB 2.0版(ban)支(zhi)持(chi)更大(da)范圍(wei)的訪(fang)問(wen)，可進一步提(ti)高隨機讀取(qu)性(xing)能(neng)。

更薄的封裝，256GB高度僅為0.8毫米。

注

[1] 與鎧俠(xia)上一代256/512GB UFS相比。

[2] 在(zai)256GB存儲密度(du)條件下，與鎧(kai)俠上(shang)一代256GB UFS相比。

[3] Forward Insights “NAND Quarterly Insights” 第二季度（2021年）

讀寫速度(du)可能因(yin)主(zhu)機設備、讀寫條件(jian)和文件(jian)大小(xiao)而有所不(bu)同。

在提(ti)及鎧俠產(chan)(chan)品時(shi)：產(chan)(chan)品密(mi)度是根據(ju)(ju)產(chan)(chan)品內存芯片的(de)密(mi)度來確定的(de)，而非最終用(yong)戶(hu)可用(yong)于數據(ju)(ju)存儲的(de)內存容量(liang)。由(you)于存在開銷數據(ju)(ju)區域、格(ge)式化信息(xi)、壞(huai)塊和其他限(xian)制條件，用(yong)戶(hu)可用(yong)容量(liang)將會減少，并且(qie)還(huan)可能因主機設備和應用(yong)程(cheng)序而有所不同。詳細(xi)信息(xi)請參閱適用(yong)的(de)產(chan)(chan)品規格(ge)說明。1KB=2^10字(zi)節=1,024字(zi)節。1Gb=2^30比特=1,073,741,824比特。1GB=2^30字(zi)節=1,073,741,824字(zi)節。1Tb=2^40比特=1,099,511,627,776比特。

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