


鎧(kai)俠(xia) (Kioxia,原東芝半導體Toshiba)今日宣布(bu),該(gai)公司已成功開發具有(you)112層垂直(zhi)堆疊結構的第(di)五代BiCS FLASH™三維(wei)(3D)閃存。鎧(kai)俠(xia)計(ji)劃開始在2020年第(di)一(yi)季度為特定應(ying)用(yong)(yong)提(ti)供樣品,新產(chan)(chan)品具有(you)512 Gb(64千兆字(zi)節)容(rong)量并采(cai)用(yong)(yong)TLC(每單元3位(wei)數據(ju))技(ji)術*1。這款新產(chan)(chan)品旨在滿足對各種應(ying)用(yong)(yong)不斷增(zeng)長的位(wei)需求,包(bao)括傳統移動設備(bei)、消費(fei)類和企(qi)業(ye)類固(gu)態硬盤(pan)(SSD)、新的5G網絡支持的新興應(ying)用(yong)(yong)、人(ren)工智能和自動駕駛車(che)輛。
展望未來,鎧俠(xia)將其新的第五代工藝(yi)技術(shu)應(ying)用于(yu)更大容量的閃(shan)存產品(pin),例如1 Tb(128千(qian)兆字節)TLC和(he)1.33 Tb QLC(每單元4位(wei)數(shu)據)產品(pin)。
鎧(kai)俠創新的(de)112層堆疊工(gong)藝技術與(yu)先進的(de)電路和制造工(gong)藝技術相結合,與(yu)96層堆疊工(gong)藝相比(bi),將存(cun)儲單元陣列密度(du)提(ti)高(gao)約20%。因此(ci),每片硅晶圓可以制造的(de)存(cun)儲容量更(geng)高(gao),從而也(ye)降低(di)了(le)每位(wei)的(de)成本(ben)(Bit-cost)。此(ci)外(wai),它將接口速度(du)提(ti)高(gao)50%,并提(ti)供更(geng)高(gao)的(de)寫性能和更(geng)短的(de)讀取(qu)延遲。
自2007率先發布(bu)采用3D堆疊結構的閃存(cun)以來*2 ,鎧俠一直在推(tui)進(jin)3D閃存(cun)的開(kai)發,并積極(ji)推(tui)廣BiCS FLASH™,以滿足對更(geng)(geng)小芯(xin)片尺寸(cun)和更(geng)(geng)大容(rong)量(liang)的需求。
第(di)五代(dai)BiCS FLASH™是(shi)與技術和(he)制造(zao)合(he)作(zuo)伙伴西部(bu)數據(ju)公司(Western Digital Corporation)共(gong)同開發的(de)。它將在鎧俠的(de)四日市工(gong)廠和(he)新建的(de)北上(shang)工(gong)廠生產。
注:
1. 并(bing)非(fei)所(suo)有功能都已經過測試,且(qie)設備特(te)性(xing)將(jiang)來(lai)可能變更。
2. 來源(yuan):鎧俠株式會社,截(jie)至2007年6月12日(ri)。
* 本文提及的(de)所有其(qi)他公(gong)司(si)名(ming)稱、產(chan)品名(ming)稱和(he)服務名(ming)稱可能是(shi)其(qi)各自公(gong)司(si)的(de)商標。
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