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ISSI 的 LPDDR4 和(he) LPDDR4X 是低壓存儲器件(jian)(jian)(jian)，具有 2 Gb、4 Gb 和(he) 8 Gb 密度(du)。這(zhe)些器件(jian)(jian)(jian)被組(zu)織為每(mei)個(ge)器件(jian)(jian)(jian) 1/2 個(ge)通道，每(mei)通道 8 個(ge)存儲體 16 位(wei)。LPDDR4 和(he) LPDDR4X 使用(yong)雙(shuang)倍傳(chuan)輸速率架構(gou)(gou)來實現(xian)高速工(gong)作。這(zhe)種雙(shuang)倍傳(chuan)輸速率架構(gou)(gou)本質上是 16N 預取架構(gou)(gou)，具有在(zai) I/O 引腳上每(mei)時鐘(zhong)周期(qi)傳(chuan)輸兩個(ge)數據字的接口。

LPDDR4 和(he)(he) LPDDR4X 具(ju)有完全同步的(de)工作模(mo)式(shi)，以時鐘(zhong)的(de)上(shang)升(sheng)沿(yan)和(he)(he)下降沿(yan)為基(ji)準(zhun)。數據(ju)路徑是內部流水線式(shi)和(he)(he) 16N 位預取式(shi)，用(yong)于達到很高的(de)帶寬。LPDDR4 和(he)(he) LPDDR4X 均具(ju)有可編程實(shi)時猝發長(chang)度(du)的(de)可編程讀寫延遲。這(zhe)些器件的(de)低壓內核和(he)(he) I/O 使它們成為移動(dong)應用(yong)的(de)理(li)想選擇(ze)。

特性

低電壓

LPDDR4: 1.8 V

LPDDR4X: 1.1 V

低壓 I/O

LPDDR4: 1.1 V

LPDDR4X: 0.6 V

10 MHz 至 1600 MHz 頻率范(fan)圍

每個 I/O 傳輸(shu)速率 20 Mbps 至(zhi) 3200 Mbps

16N 預取(qu) DDR 架構

每(mei)個(ge)通(tong)道八(ba)個(ge)內(nei)部存儲體，用于并行工作

多路復用，雙倍傳輸(shu)速率，指令/地址輸(shu)入

移動功能可降低功耗

可編程的實時(shi)猝發長度（BL = 16 或 32）

可編程的讀寫延遲

片(pian)載溫度傳感器可(ke)實現(xian)有(you)效的自刷新控制

ZQ 校準

可調驅動強度

局部陣(zhen)列自刷新 (PASR)

10 mm x 14.5 mm BGA-200 封裝(zhuang)

時鐘頻率：1.6 GHz

內存格式：DRAM

內存接口：并行

內存類型：易失性

安裝類型：表面貼裝

工作(zuo)溫度：-40°C 至 95°C (TC)

封裝/外殼：200-TFBGA 至 200-WFBGA

技術：SDRAM 移動版(ban) LPDDR4

電源電壓：1.06 V 至 1.17 V，1.7 V 至 1.95 V