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GeneSiC宣布(bu)推出(chu)業界領(ling)先的3300V和1700V分立SiC MOSFET，這些MOSFET經過優(you)化(hua)可(ke)實現無與(yu)倫比的小型化(hua), 工(gong)業家政電源的可(ke)靠性和節能.

GeneSiC半導體(ti), 碳化(hua)硅綜合產品(pin)的(de)先驅和(he)(he)全(quan)球供應商 (碳化(hua)硅) 功率半導體(ti), 今(jin)天(tian)宣(xuan)布(bu)推出下一代3300V和(he)(he)1700V1000mΩSiC MOSFET – G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, 和(he)(he)G2R1000MT33J. 這些SiC MOSFET可(ke)實(shi)現卓越的(de)性能水平, 基于旗艦功績(ji)指標 (FoM) 增強和(he)(he)簡化(hua)跨儲(chu)能系統的(de)電力系統, 再生能源(yuan), 工業(ye)馬(ma)達, 通(tong)用逆變(bian)器和(he)(he)工業(ye)照(zhao)明. 發(fa)布(bu)的(de)產品(pin)有:

G2R1000MT33J – 3300V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D – 1700V1000mΩTO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J – 1700V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D – 1700V450mΩTO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J – 1700V450mΩTO-263-7 SiC MOSFET

GeneSiC的(de)新型3300V和(he)(he)1700V SiC MOSFET, 提供1000mΩ和(he)(he)450mΩ選項的(de)SMD和(he)(he)通(tong)孔分立封裝(zhuang), 針對要求提高(gao)效率水平(ping)(ping)和(he)(he)超快開關速度(du)的(de)電源系統設(she)計(ji)進行了高(gao)度(du)優化(hua). 與競爭產品相比(bi)，這(zhe)些(xie)設(she)備具有(you)更好的(de)性能(neng)水平(ping)(ping). 有(you)保證的(de)質量(liang), 快速周轉的(de)大批量(liang)制造的(de)支持進一步增強了其價值(zhi)主張.

“在(zai)1500V太陽能逆變(bian)(bian)器等應用中(zhong)(zhong), 輔助電(dian)源中(zhong)(zhong)的(de)MOSFET可(ke)能必須承受2500V的(de)電(dian)壓, 取決于(yu)輸(shu)入電(dian)壓, 變(bian)(bian)壓器匝數比與輸(shu)出電(dian)壓. 高擊穿(chuan)電(dian)壓MOSFET消除了(le)反激(ji)式中(zhong)(zhong)串聯開關的(de)需求, 升壓和(he)正激(ji)轉換器，從而減少了(le)零件數量(liang)并降低了(le)電(dian)路復雜度. GeneSiC的(de)3300V和(he)1700V分(fen)立(li)SiC MOSFET允(yun)許設計人(ren)員使用更簡單的(de)基于(yu)單開關的(de)拓撲，同時為客(ke)戶(hu)提(ti)供可(ke)靠(kao)的(de), 緊湊而經濟的(de)系統(tong)” 蘇米特·賈(jia)達夫(fu)（Sumit Jadav）說, GeneSiC Semiconductor高級應用經理(li).

特征 –

優越的性價比指數

旗艦QG 設DS(上(shang)) 品質(zhi)因數

低(di)固有電容(rong)和低(di)柵極(ji)電荷

在所有溫度下損耗低

高雪崩和短路強度

基(ji)準閾值電壓(ya)，可在高達175°C的常態下(xia)穩(wen)定運(yun)行

應用領域 –

可再生能(neng)源 (太陽能(neng)逆(ni)變器) 和儲能(neng)

工(gong)業(ye)馬達 (和債券)

通用變頻器

工業照明

壓電驅動器

離子束發生器

所有設備均可通過授權GeneSiC代理商購買