Nexperia新款P溝道MOSFET面向極性反接保護；作為高邊開關，用(yong)于座(zuo)位調(diao)節、天窗和車窗控制(zhi)等各種汽車應用(yong)。它(ta)們也適用(yong)于5G基(ji)站等工業(ye)應用(yong)場景。...
Nexperia MOSFET采(cai)用(yong)了(le)DFN0606封(feng)裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代(dai)DFN1006器件相比，節(jie)省了(le)超過(guo)36%的空(kong)間。由(you)于(yu)采(cai)用(yong)了(le)先(xian)進工(gong)藝流程，這些(xie)新器件提供低(di)導通電(dian)阻RDS(on)，與競爭對手產品相比減(jian)小了(le)60%以上...
據(ju)披(pi)露，Frans Scheper還將在未來一段時間(jian)內擔(dan)任董事長私(si)人顧問，繼(ji)續幫助(zhu)實現平穩(wen)過(guo)渡。董事會謹對首(shou)席執行官（之前擔(dan)任NXP 標準產品事業部總(zong)經理）Frans Scheper所取得的(de)成就(jiu)表(biao)示由衷的(de)感謝(xie)和尊重。...
安世半導體(ti)新(xin)款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術(shu)(shu)與有源可控硅（SCR）技術(shu)(shu)，USB4TM和(he)Thunderbolt接(jie)口設(she)計工(gong)程師(shi)將會特別感興趣。該器件可實現極低(di)(di)電容(rong)（低(di)(di)至0.1 pF）；極低(di)(di)鉗(qian)位電壓 動態電阻低(di)(di)至0.1 Ω）以及非常(chang)穩(wen)健的防浪涌(yong)與ESD性能...
Nexperia新的(de)氮化(hua)鎵(jia)技術采用了貫穿外延層的(de)過(guo)孔，減少了缺陷(xian)并且芯(xin)片尺寸(cun)可縮小約(yue)24%。TO-247 封裝的(de)新器件(jian)，導通電阻RDS(on)降低(di)到(dao)僅(jin) 41mΩ（最大值，25℃的(de)典型值為 35mΩ），同時(shi)具有(you)高的(de)柵級閥(fa)值電壓和低(di)反向導通電壓。...
