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安世半導體發布業內首款專門針對USB4TM標準開發的ESD保護器件

Nexperia, 分立器(qi)件(jian)(jian)、MOSFET器(qi)件(jian)(jian)及模(mo)擬和邏輯器(qi)件(jian)(jian)領(ling)(ling)域的(de)生產專家,今日宣(xuan)布推出PESD2V8R1BSF,這是業內首款(kuan)專門針對USB4TM標準開(kai)發的(de)ESD保護器(qi)件(jian)(jian),具有行業領(ling)(ling)先的(de)RF性能。新款(kuan)器(qi)件(jian)(jian)采用Nexperia的(de)TrEOS ESD技術與(yu)(yu)有源可(ke)控硅(SCR)技術,USB4TM和Thunderbolt接口設計工程師將會特(te)別感興(xing)趣(qu)。該器(qi)件(jian)(jian)可(ke)實現極低(di)(di)電容(rong)(低(di)(di)至0.1 pF);極低(di)(di)鉗位電壓 動(dong)態電阻低(di)(di)至0.1 Ω)以及非常穩健(jian)的(de)防浪涌與(yu)(yu)ESD性能(,最高可(ke)達(da)20A 8/20 μs)。PESD2V8R1BSF采用超低(di)(di)電感SOD962封裝(zhuang)。

 

Nexperia產品經理Stefan Seider評論道:“為(wei)避免信號(hao)完(wan)整性問題(ti),PESD2V8R1BSF ESD保護(hu)二極管提供極低(di)的(de)(de)插(cha)入損(sun)耗和相應的(de)(de)低(di)回波損(sun)耗,在10 GHz時(shi)(shi)分別為(wei)-0.21 dB和-17.4 dB。該ESD保護(hu)器(qi)件(jian)(jian)可滿足USB 3.2的(de)(de)較高電(dian)壓要求。這意味著,該器(qi)件(jian)(jian)可放置(zhi)在USB Type-C®連接器(qi)后面,用(yong)于保護(hu)耦合電(dian)容,同時(shi)(shi)仍(reng)與USB3.2向后兼容。”

 

TrEOS保護二極管采用非(fei)常緊湊、非(fei)常可靠的DSN0603-2 (SOD962)封裝(zhuang)。這種廣泛使用的0603外形尺寸能夠帶(dai)來諸多優勢(shi),包括電(dian)感極低,可提供(gong)快(kuai)速保護,并且可集成到單片電(dian)路(lu)中,無需焊(han)線,從而減少(shao)了(le)機械(xie)應(ying)力和(he)熱應(ying)力。

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更多IC電子元器件制造商行業動態(2025年9月19日更新)
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