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Littelfuse公司近(jin)期推(tui)出(chu)了首(shou)款1700V SiC 器件(jian)，使其(qi)在碳化硅（SiC）MOSFET上的產(chan)品更加豐富(fu)。

在產品LSIC1MO170E1000中(zhong)已(yi)經(jing)將(jiang)該公司早前已(yi)發布的(de)1200V SiC MOSFET和肖特基二極管(guan)運用到其中(zhong)。Littelfuse公司表示，最(zui)終(zhong)用戶將(jiang)由(you)此獲得更緊湊，更節能的(de)系統并(bing)且(qie)將(jiang)會降低使用的(de)總體成本。

Littelfuse還表示，采用(yong)SiC MOSFET技術的高效率的特點為許(xu)多要求苛刻的應用(yong)（電動和(he)混合(he)動力汽車(che)（EV / HEV），數據中心和(he)輔助電源）提供了多種優勢。與(yu)類似額(e)定硅絕緣柵雙(shuang)極晶體管（IGBT）相比，LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET 可(ke)實現(xian)系統級優化，包括提高效率，增加功率密(mi)度，降(jiang)低冷卻要求以及可(ke)能降(jiang)低系統級成本。

據稱(cheng)，與市(shi)場上其他(ta)業界領先的(de)SiC MOSFET器件(jian)相比(bi)，該SiC MOSFET在所(suo)有方面都具有更好的(de)性能(neng)。LSIC1MO170E1000的(de)典型(xing)應用包括：太陽能(neng)逆變器; 開關電源（SMPS）和(he)不間斷電源（UPS）; 電機驅(qu)動; 高壓DC / DC轉(zhuan)換器; 和(he)感應加熱。

“該產品可以改善現有(you)應用，Littelfuse所(suo)開發應用可支持網(wang)絡，這可以在新的(de)設計(ji)項目上(shang)有(you)所(suo)幫助(zhu)，”Littelfuse半(ban)導(dao)體業務部門Power Semiconductors全球(qiu)產品營銷經(jing)理Michael Ketterer說。“SiC MOSFET為傳統(tong)的(de)硅基(ji)功率(lv)晶體管器件(jian)提供(gong)了更優的(de)替代方案。與(yu)類似額定值(zhi)的(de)IGBT相比，MOSFET器件(jian)結構(gou)可實現更低(di)的(de)周期開關損耗和更高的(de)輕載效率(lv)，“他補充道(dao)。“固有(you)的(de)材料特性允許SiC MOSFET在阻斷電(dian)壓、特定導(dao)通電(dian)阻和結電(dian)容方面超過其Si MOSFET對應物。”

新(xin)型(xing)1700V，1ΩSiCMOSFET具(ju)有以下優(you)點：

1、針對高(gao)(gao)頻，高(gao)(gao)效(xiao)應用進行了優化;

2、極低的柵極電荷(he)和輸(shu)出電容(rong);

3、用于高(gao)頻(pin)開(kai)關的低柵極電阻。

LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET采用(yong)TO-247-3L封裝，管材數量(liang)為450。樣品要(yao)求可通過全球授權的(de)Littelfuse經(jing)銷商提供。

Littelfuse公司

力特公司(si)位于美國伊(yi)利諾伊(yi)州芝(zhi)加哥市，主要為客戶提(ti)供電路保護(hu)技術支持。包括(kuo)保險絲，半導體，聚合物(wu)，陶瓷(ci)，繼電器和傳感(gan)器等。