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Insignis 的(de) DDR2 SDRAM 器件采(cai)用了其專有(you)的(de)擴展(zhan)測試(shi)流(liu)程，可確保在(zai)升高的(de)結溫(wen)下工作。

Insignis 通過工(gong)業和擴(kuo)展測試的(de)(de) DDR2 SDRAM 圖片NDB16P 是一款經過 Insignis 專有(you)(you)的(de)(de)擴(kuo)展測試流程檢測的(de)(de)高(gao)速 CMOS DDR2 同步(bu) DRAM，可減少早期(qi)故障，并具有(you)(you)確(que)保工(gong)業用途的(de)(de)優秀質量和長期(qi)可靠性(xing)。這些器件設計(ji)符合 DDR2 DRAM 的(de)(de)關鍵特性(xing)，如公布的(de)(de) CAS# 具有(you)(you)附加延(yan)遲、寫延(yan)遲 = 讀延(yan)遲 - 1 以及片內端接 (ODT) 。

所有(you)控制和地址輸入都與(yu)一對外部提供的(de)差分時鐘(zhong)同步。輸入在差分時鐘(zhong)的(de)交叉點(dian)（CK 上升和 CK# 下降）被(bei)鎖定。所有(you) I/O 都以(yi)源同步方式與(yu)一對雙(shuang)向(xiang)選通（DQS 和 DQS#）信號同步。

以交(jiao)錯方式操作存儲體允(yun)許隨機(ji)訪問操作以比(bi)標(biao)準 DRAM 可能更高的速(su)率發(fa)生。可啟(qi)用自(zi)動預充(chong)(chong)電(dian)功能，以提(ti)供一個在猝發(fa)序列結束時激活的自(zi)定(ding)時行預充(chong)(chong)電(dian)。根據猝發(fa)長度(du)、CAS 延遲和(he)器(qi)件的速(su)度(du)等(deng)級，可以實(shi)現順序和(he)無間隙(xi)數據速(su)率。

特性

Insignis 專有的擴(kuo)展測試流程(cheng)提高(gao)了(le)質量，確保(bao)了(le)在升(sheng)高(gao)的結溫下正(zheng)常運行

JEDEC 標準直(zhi)接替代(dai)零(ling)件

提(ti)供符合 AECQ-100 的(de)版(ban)本

提供 512 Mb、1 Gb 和 2 Gb 容(rong)量

工作溫度范圍

擴展測試 (ET) ：0°C 至 +85°C

工業 (IT)：-40°C 至 +95°C（最高可達(da) 105°C）

差分時(shi)鐘 CK 和(he) /CK

雙向單/差(cha)分(fen)數據選通

符合(he) RoHS 規范

全同步工作

4 位預取架構

可編程模(mo)式和擴展模(mo)式寄(ji)存器(qi)

片內(nei)端接 (ODT)

自動刷新和自我刷新

預充電和主動斷電

無鉛和無鹵素封裝

應用

工業

工廠自動化

游戲機

嵌入式控制板

工業 PC

醫療

印刷

通信/監控

遠程/現場監控設備

門禁系統/安防

相機

計量

汽車/運輸

航空

鐵路

船舶

駕駛員信息系統

信息娛樂

電信/網絡

蜂窩天線

路由器和交換機

網絡存儲

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