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GSI Technology 的 SRAM 具有多種(zhong)密度、封裝和(he)設計(ji)選項。

GSI 技(ji)術(shu)同步突發 SRAM 圖片GSI Technology 的(de) NBT SRAM 一直是中端數據采集設(she)(she)計的(de)主(zhu)力軍，已有(you) 15 多(duo)年(nian)的(de)歷史，并且可以(yi)提供各種密度、封裝和設(she)(she)計選項(xiang)。這些 SRAM 還帶有(you)長期存儲 IC 支持(chi)計劃。

SyncBurst SRAM 可針對單個(ge)時鐘信號(hao)提供 2 到 4 個(ge)字的(de)“突發”響應。SyncBurst SRAM 適(shi)合需要中(zhong)端性能(neng)點(dian)（通常為(wei) 333 MHz 至 166 MHz 時鐘速率(lv)）的(de)網絡、工(gong)業、汽車和醫(yi)學成像應用。

特性

FT 引腳，用于(yu)用戶可配置(zhi)的直(zhi)通或管道操作

雙周(zhou)期取消選(xuan)擇 (DCD) 操(cao)作

2.5 V 或(huo) 3.3 V ±10% 內(nei)核(he)電源

2.5 V 或 3.3 V I/O 電源

LBO 引腳用于線性或交錯猝發模式

模式引腳上的內部輸入電阻器(qi)允許(xu)浮(fu)動(dong)模式引腳

默認(ren)為交錯流水線(xian)模式

字(zi)節寫入 (BW) 和/或全局寫入 (GW) 操作

內部自定時寫周期

便攜式應用自動斷電

符(fu)合(he) RoHS 要求的 100 引線 TQFP 以(yi)及 119 和 165 焊球 BGA 封裝

有關樣品、詳細規格、價格和交貨報價及更多信息，請聯系當地的GSI代理商進行詢問。