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Ampleon今天(tian)宣布推(tui)出(chu)兩(liang)款新(xin)型寬帶碳化(hua)硅基氮(dan)化(hua)鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率晶體管（HEMT），功(gong)率等級分別為30W的(de)CLF3H0060(S)-30和100W的(de)CLF3H0035(S)-100。這(zhe)兩(liang)款高線性度器(qi)件是我們最近通過認證并投入生產的(de)第3代GaN-SiC HEMT工(gong)藝的(de)首發產品。

這些(xie)器件提供(gong)了低(di)偏置下的(de)(de)(de)寬(kuan)帶高線性度特性，從而提高了寬(kuan)帶線性度水(shui)平(ping)（在(zai)5dB時(shi)三階互調低(di)于(yu)-32dBc；在(zai)2:1帶寬(kuan)上從飽和功(gong)率回退8dB時(shi)則低(di)于(yu)-42dBc）。寬(kuan)帶線性對(dui)于(yu)當今國防電(dian)子設備中所部署的(de)(de)(de)頻率捷變無線電(dian)至關(guan)重(zhong)要，后(hou)者用于(yu)處理多(duo)模通信(xin)波形（從FM信(xin)號(hao)一直到高階QAM信(xin)號(hao)）并同時(shi)應用對(dui)抗信(xin)道(dao)的(de)(de)(de)情況。這些(xie)要求苛刻的(de)(de)(de)應用需(xu)要晶(jing)體管本身具有更好(hao)的(de)(de)(de)寬(kuan)帶線性度。根據市場反(fan)饋，埃賦隆半(ban)導體的(de)(de)(de)第(di)3代GaN-on-SiC HEMT晶(jing)體管可滿足(zu)這些(xie)擴展的(de)(de)(de)寬(kuan)帶線性度要求。

此外，這兩款第(di)3代晶體(ti)(ti)管還采用(yong)(yong)(yong)了增強散熱封裝以實現可靠運(yun)行(xing)，并為30W器件(jian)(jian)提供高達15:1的(de)(de)(de)極耐(nai)用(yong)(yong)(yong)的(de)(de)(de)VSWR耐(nai)受能力。該耐(nai)用(yong)(yong)(yong)性(xing)(xing)(xing)還可擴展到(dao)A類放大器工作模式。這在(zai)具有飽和柵極條件(jian)(jian)下，同(tong)時要在(zai)擴展頻率范圍(wei)內在(zai)寬動態范圍(wei)內保持線性(xing)(xing)(xing)度的(de)(de)(de)儀器應用(yong)(yong)(yong)中很常見。埃賦隆(long)半導體(ti)(ti)的(de)(de)(de)第(di)3代GaN-on-SiC HEMT晶體(ti)(ti)管為寬帶應用(yong)(yong)(yong)的(de)(de)(de)高線性(xing)(xing)(xing)GaN技術設(she)立了新標準，同(tong)時保持了出色(se)的(de)(de)(de)散熱性(xing)(xing)(xing)能和耐(nai)用(yong)(yong)(yong)性(xing)(xing)(xing)。