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Ampleon宣布基于其成熟的ART技術開發出新系列射頻功率器件中的首款產品

Ampleon宣布基于其(qi)(qi)成熟的(de)(de)第9代高壓LDMOS工(gong)藝技術(shu)派生(sheng)出高級加固(gu)技術(shu)(Advanced Rugged Technology,ART),并借此開(kai)發出新系列射頻功率器(qi)件中的(de)(de)首(shou)款(kuan)產品。這個新工(gong)藝的(de)(de)開(kai)發旨(zhi)在(zai)用于實現極(ji)其(qi)(qi)堅固(gu)的(de)(de)、工(gong)作(zuo)電壓高達65V的(de)(de)晶體(ti)管。

 

首款采用(yong)該工藝的(de)產品ART2K0FE是一(yi)款2kW的(de)晶體管,其(qi)(qi)頻率響應(ying)為0至650MHz,采用(yong)氣腔陶瓷封裝。其(qi)(qi)設計能夠(gou)承(cheng)受工業(ye)、科(ke)學和(he)(he)醫療(ISM)應(ying)用(yong)中常見(jian)的(de)最惡劣的(de)條件(jian),可(ke)用(yong)于(yu)驅(qu)動大功率CO2激光(guang)器(qi)、等離子發生(sheng)器(qi)和(he)(he)一(yi)些MRI系統(tong)。ART器(qi)件(jian)之所(suo)以(yi)適用(yong)于(yu)這些應(ying)用(yong),是因為其(qi)(qi)可(ke)以(yi)處理(li)65V條件(jian)下高(gao)達65:1的(de)駐波比(VSWR)失配,而這在(zai)CO2激光(guang)器(qi)和(he)(he)等離子發生(sheng)器(qi)工作時可(ke)能碰到。

 

基于ART工藝開發(fa)的(de)(de)(de)器(qi)件(jian)具有很(hen)高(gao)的(de)(de)(de)阻抗,因(yin)此在開發(fa)階(jie)段更(geng)(geng)容易將其集成(cheng)到產(chan)品中,并確保在批量生產(chan)中具有更(geng)(geng)高(gao)的(de)(de)(de)產(chan)品一致性。該(gai)工藝還(huan)可(ke)(ke)使所(suo)開發(fa)的(de)(de)(de)器(qi)件(jian)比(bi)LDMOS競爭(zheng)產(chan)品更(geng)(geng)加(jia)高(gao)效。這樣便可(ke)(ke)通過節省輸入電(dian)能,降低(di)發(fa)熱,來降低(di)最終應用的(de)(de)(de)運(yun)營成(cheng)本。此外,采(cai)用該(gai)工藝的(de)(de)(de)器(qi)件(jian)還(huan)可(ke)(ke)實現(xian)更(geng)(geng)高(gao)的(de)(de)(de)功率密度(du),也就是說,它們可(ke)(ke)以(yi)采(cai)用更(geng)(geng)小(xiao)、更(geng)(geng)低(di)成(cheng)本的(de)(de)(de)封裝,從而(er)減少其電(dian)路板占位面積,進而(er)降低(di)系統成(cheng)本。

 

ART器(qi)件(jian)還具有高擊穿電(dian)壓,有助于(yu)確保它們(men)在整個預期(qi)壽命(ming)期(qi)間始(shi)終如(ru)一地可靠工作。埃賦隆半導(dao)體還保證這類器(qi)件(jian)可以供貨15年(nian),從而使產品設計人員(yuan)可以進(jin)行長期(qi)規(gui)劃。

 

采用氣腔(qiang)陶瓷(ci)封裝的ART2K0FE現(xian)可提供(gong)樣品,并有(you)不同(tong)頻率的參考電路可以選擇。埃賦隆半(ban)導體還提供(gong)較低(di)熱阻的超(chao)模壓塑料版(ban)本(ben)ART2K0PE。兩種版(ban)本(ben)預計在2019年下半(ban)年量產。

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更多IC電子元器件制造商行業動態(2025年9月18日更新)
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