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Adesto Technologies，正準備推(tui)出首款導電橋(qiao)接隨機存(cun)(cun)取存(cun)(cun)儲器(conductive-bridging RAM， CBRAM )。 CBRAM 是一種(zhong)低耗電、與CMOS兼容(rong)的(de)存(cun)(cun)儲器，可客制化應用在廣泛的(de)離散式或嵌(qian)入式市場，該(gai)公司打算最(zui)快在2011年第一季推(tui)出首款 CBRAM 樣品。

在(zai)近日(ri)于(yu)美國舉行的(de)非(fei)揮(hui)發性存儲(chu)器(qi)研討會(Non Volatile Memory Conference)上，Adesto表示其(qi) CBRAM 是以可編(bian)程(cheng)金屬化單元(programmable metallization cell，PMC)技術(shu)為基礎，采用130奈米制程(cheng)。該公(gong)(gong)司(si)開(kai)發此(ci)種存儲(chu)器(qi)技術(shu)已有好一(yi)段時間，是由美國亞利桑那州立(li)大(da)學(Arizona State University)獨立(li)而出的(de)Axon Technologies公(gong)(gong)司(si)，取得PMC技術(shu)授權(quan)。

CBRAM 與(yu)FRAM、MRAM、相變化存(cun)儲(chu)器(PCM)、RRAM等新一代(dai)(dai)存(cun)儲(chu)器，都是有機(ji)會取代(dai)(dai)傳(chuan)統快閃存(cun)儲(chu)器的接班技術。Adesto資(zi)深(shen)業務(wu)開發總監(jian)Ed McKernan表示，CBRAM能夠(gou)被客制化以取代(dai)(dai) EEPROM 、快閃存(cun)儲(chu)器等等;他強調，新的CBRAM在(zai)外觀與(yu)功能上與(yu)目前(qian)的EEPROM類似，但尺寸較小、也(ye)更具成本優勢(shi)。

Adesto正在開發的1Mbit元(yuan)件，是(shi)采用標準130奈(nai)米制(zhi)(zhi)程(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)，在后段制(zhi)(zhi)程(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(back-end-of-the-line process)將整合(he)銅材(cai)料;這(zhe)意味著該技術(shu)具備需(xu)要在后段制(zhi)(zhi)程(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)加入兩個(ge)非關鍵光罩步驟(non-critical mask steps)的可編程(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)元(yuan)素(su)。

而(er)該(gai)元(yuan)(yuan)件的記(ji)憶保存周期，據說在攝(she)氏70度以內可達10年，其運作電壓僅有1V;且(qie)因為采用130奈米制(zhi)程，最(zui)大寫入電壓小于(yu)(yu)1.6V，編(bian)程電流小于(yu)(yu)60uA，每單元(yuan)(yuan)編(bian)程時(shi)間小于(yu)(yu)5us、抹(mo)除時(shi)間小于(yu)(yu)10us。

Adesto 在簡報中(zhong)介(jie)紹，其(qi)CBRAM 元件(jian)是(shi)利(li)用(yong)了一種陽(yang)離子固態電解(jie)質(cation-based solid electrolyte)技(ji)術(shu)，也是(shi)Axon所(suo)授權(quan)之PMC技(ji)術(shu)的(de)關鍵之一。根據Axom公司(si)網站的(de)介(jie)紹，該定(ding)義存儲(chu)器性能的(de)機(ji)制，是(shi)其(qi)專(zhuan)利(li)技(ji)術(shu)，采用(yong)一種非晶薄膜(amorphous film)以及兩個(ge)金(jin)屬觸點(contact)。

據Axom的資料(liao)，該技術是(shi)利用了(le)某些非(fei)晶材料(liao)鮮為人知的一個特性(xing)，也就是(shi)能(neng)合并(bing)(bing)(incorporate)數量相對較多的金屬，并(bing)(bing)做為固態(tai)電極(ji);在適(shi)當的偏壓(bias)條件(jian)下，電極(ji)中(zhong)的金屬離子會減少(shao)，并(bing)(bing)在材料(liao)中(zhong)形成(cheng)(cheng)導電通道(dao)，而該流程也能(neng)輕易(yi)逆轉，重(zhong)新形成(cheng)(cheng)絕(jue)緣非(fei)晶層。

在2001與(yu)(yu)(yu)2004年，美光(Micron)和英飛凌(ling)(Infineon Technologies)亦曾(ceng)陸續(xu)與(yu)(yu)(yu)Axon簽(qian)訂PMC技術的非獨家授(shou)權(quan)協(xie)議，但都沒(mei)有實際應用成果。成立僅三年的Adesto則(ze)是(shi)唯一專注于利用該技術的公司，打算(suan)推出相關產(chan)品與(yu)(yu)(yu)提供授(shou)權(quan)業務;目(mu)前(qian)該公司似(si)乎有晶圓代工伙伴，但不愿透(tou)露伙伴名稱。