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Alliance Memory今天(tian)宣布，該公(gong)司現已成(cheng)為美光(guang)科技其他傳統NOR 閃(shan)(shan)存(cun)設備的授權(quan)經銷商。除(chu)了之前(qian)發布的 M29F 5V 并(bing)行(xing)(xing)(xing)(xing) NOR 閃(shan)(shan)存(cun)器件，Alliance 現在還(huan)轉售來自(zi)美光(guang) M45PE 串行(xing)(xing)(xing)(xing) NOR 閃(shan)(shan)存(cun)、N25Q 串行(xing)(xing)(xing)(xing) NOR 閃(shan)(shan)存(cun)、J3 并(bing)行(xing)(xing)(xing)(xing) NOR 閃(shan)(shan)存(cun)和 P30/P33 并(bing)行(xing)(xing)(xing)(xing) NOR 閃(shan)(shan)存(cun)系列的精選產品(pin)(pin)，所有(you)美光(guang)之前(qian)因(yin)產品(pin)(pin)變更通(tong)知 #32163（上次購買時間：2018 年(nian) 3 月）而停產。美光(guang)將繼續為 Alliance Memory 生產這些(xie)設備，并(bing)打算只為到 2021 年(nian)中期(qi)下的任何新訂單供應 Alliance Memory。

Alliance Memory 總(zong)裁(cai)兼(jian)首(shou)席執行官 David Bagby 表示：“我們(men)致力于滿足客(ke)戶的(de)傳統(tong)組件需(xu)求，并與美(mei)光(guang)合作取得(de)了巨大成(cheng)功(gong)，為(wei)(wei)各種設(she)備(bei)提供(gong)持續(xu)支持，包(bao)括 512Mb SDRAM 和(he) 8Gb DDR3L SDRAM。” “我們(men)期待通過我們(men)提供(gong)的(de)傳統(tong)美(mei)光(guang) NOR 閃存設(she)備(bei)繼(ji)續(xu)取得(de)成(cheng)功(gong)，為(wei)(wei)我們(men)的(de)客(ke)戶在(zai)未來幾年提供(gong)額外的(de)供(gong)應。”

“以客戶為(wei)(wei)(wei)中心(xin)和(he)支持是美(mei)(mei)光的核心(xin)價(jia)值，我們始終(zhong)努力(li)尋找(zhao)解(jie)決(jue)方案(an)(an)，為(wei)(wei)(wei)客戶提(ti)供供應(ying)靈活性和(he)使(shi)用壽命，”美(mei)(mei)光嵌入式業(ye)務部 NOR 閃存(cun)和(he)新興存(cun)儲器解(jie)決(jue)方案(an)(an)總監 Richard De Caro 說。“美(mei)(mei)光很高興再次與 Alliance Memory 合作，為(wei)(wei)(wei)我們傳統(tong) NOR 閃存(cun)產(chan)品的客戶提(ti)供值得信賴的供應(ying)來源。”

以下部分重點介紹的美光制造的傳統 NOR 閃存部件現在可直接從Alliance Memory代理商獲得：

M45PE 3V 串行 NOR 閃存

Micron 的(de) M45PE 系列產品是可通過 SPI 兼容總線訪問(wen)的(de) 3V 頁可擦除串行 NOR 閃存設(she)備。可以使用 PAGE WRITE 或(huo) PAGE PROGRAM 命令(ling)一次寫入或(huo)編程存儲(chu)器 1 字節至 256 字節。PAGE WRITE 命令(ling)由一個(ge)(ge)集成(cheng)的(de) PAGE ERASE 周期和(he)一個(ge)(ge) PAGE PROGRAM 周期組成(cheng)。請參閱(yue) Alliance Memory 網站上的(de)產品供應詳(xiang)情。

N25Q 1.8V 和 3V 串行 NOR 閃存

Micron 的(de) N25Q 系列由(you)采用 65nm NOR 技(ji)術制造的(de)高(gao)性能(neng)多輸入/輸出串行閃存器件組成。它具有(you)就地執行 (XIP) 功能(neng)、高(gao)級(ji)寫(xie)保護機制和(he)高(gao)速 SPI 兼容總(zong)線接口。創新的(de)高(gao)性能(neng)雙(shuang)路和(he)四(si)(si)路輸入/輸出指令使讀(du)取和(he)編程操作(zuo)的(de)傳(chuan)輸帶(dai)寬增加一倍(bei)或四(si)(si)倍(bei)。請(qing)參閱(yue) Alliance Memory 網站上(shang)的(de)產(chan)品供應(ying)詳情。

J3 和 P30/P33 并行 NOR 閃存

Micron 的 J3、P30 和(he) P33 系(xi)列由采用 65nm NOR 技術制造的高性(xing)能單(dan)比特單(dan)元 (SBC) 和(he)多(duo)級單(dan)元 (MLC) 并行閃存器件組成(cheng)。它(ta)們具有高級寫保護機制、x8 和(he) x16 總線(xian)寬度，并且與通用閃存接口 (CFI) 兼容。