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Adesto 公司宣布推出全新系列非易失性存儲器器件DataFlash E系列

Adesto Technologies 的(de)(de) DataFlash "E" 系(xi)(xi)列是全新系(xi)(xi)列非易失(shi)性(xing)(xing)(xing)存儲器(qi)器(qi)件,具有(you)較低(di)的(de)(de)功率要求和(he)智能特性(xing)(xing)(xing),系(xi)(xi)統效率更高、成本更低(di)。DataFlash E 系(xi)(xi)列具有(you)多(duo)種(zhong)特性(xing)(xing)(xing)和(he)選項,包括多(duo)種(zhong)行業(ye)第(di)一的(de)(de)特性(xing)(xing)(xing),如寬 VCC 電壓(ya)和(he)“超深(shen)度省(sheng)電”模式。E 系(xi)(xi)列產品(pin)還包括全新的(de)(de)“智能”特性(xing)(xing)(xing),從而提高了如高效“字節寫”之(zhi)類系(xi)(xi)統性(xing)(xing)(xing)能,不需要大塊(kuai)擦除和(he)行業(ye)標準(zhun)的(de)(de)“擦除-編程(cheng)-掛起-恢(hui)復”指令。

 

采用(yong) Adesto 的(de)(de) E 系列器(qi)(qi)件后(hou),編程器(qi)(qi)可發一個單軟(ruan)件指令(ling)即可擦除(chu)/寫入。這與(yu)標準串行閃存(cun)產品(pin)不同,后(hou)者需要(yao) 4 Kb 的(de)(de)塊(kuai)擦除(chu)。這意味著減少了主機控制器(qi)(qi)對存(cun)儲(chu)器(qi)(qi)進行管理的(de)(de)需要(yao),釋(shi)放(fang)出(chu)資源用(yong)于為(wei)更高優先級操作。較少的(de)(de)存(cun)儲(chu)器(qi)(qi)管理同時(shi)還意味著控制器(qi)(qi)的(de)(de) SRAM 中的(de)(de)軟(ruan)件占用(yong)空間更小,這樣給設計師帶來了靈活性,可使(shi)用(yong)更小的(de)(de)微控制器(qi)(qi),或放(fang)棄外部 SRAM。

 

該 E 系列產(chan)品(pin)(pin)具有最大節能(neng)效果,通(tong)過簡單的軟件指令即(ji)可進入超(chao)深度省電模式。E 系列所提(ti)供的省電模式僅(jin)消耗納(na)安級(ji)的電流,能(neng)效優于其(qi)它競爭產(chan)品(pin)(pin)一(yi)個數量(liang)級(ji)以(yi)上。省電模式的軟件控制(zhi)能(neng)夠讓(rang)設計師(shi)免除使用額外的硬件元件,如低壓(ya)差(cha)穩(wen)壓(ya)器 (LDO) 或氮(dan)化鎵晶體(ti)管。

 

對(dui)于(yu)移動或電池(chi)(chi)供電的設備,DataFlash E 系列不經調(diao)壓(ya)(ya)即可(ke)運(yun)行,從而最大限度地提升(sheng)從 1.65 V 至 3.6 V 不間斷的電池(chi)(chi)壽命。相對(dui)標準 VCC 零件(jian),擴展(zhan)電壓(ya)(ya)范圍(wei)能夠延長電池(chi)(chi)壽命高達 1000%,同時削減了低(di)壓(ya)(ya)差穩壓(ya)(ya)器 (LDO) 的成本。

 

對于在更(geng)小、更(geng)慢型 MCU/CPU 上運(yun)行且在高 MHz 范圍內運(yun)行的應用,DataFlash 現在支持(chi)低(di)功耗讀(du)指令,在時鐘頻率低(di)于 10 MHz 時,通(tong)常比標(biao)準讀(du)命令可(ke)節省 20% 的電力。

 

E 系列(lie)包括各種存(cun)儲密度,非常適合(he)數字語音、圖像、程(cheng)序(xu)代碼、數據存(cun)儲和(he)其它存(cun)儲器應用(yong)。

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