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2019年11月7日(ri)，在由全(quan)球(qiu)(qiu)最大的(de)電子(zi)信息媒(mei)體集團ASPENCORE舉辦的(de)全(quan)球(qiu)(qiu)CEO峰會上， 瑞能半導(dao)體(WeEn Semiconductors ) 1200V 碳化硅系列榮獲產(chan)品類(lei)“年度功(gong)率(lv)半導(dao)體”大獎，彰顯了(le)其在功(gong)率(lv)半導(dao)體行業的(de)創新領導(dao)力。

全球(qiu)(qiu)電(dian)子(zi)成就獎旨(zhi)在評選并表彰(zhang)對推動全球(qiu)(qiu)電(dian)子(zi)產業創新(xin)做(zuo)出杰(jie)出貢獻的企(qi)業和(he)管理者(zhe)，由 ASPENCORE 全球(qiu)(qiu)資深編(bian)輯(ji)組成的評審委員會以及來(lai)自亞、美、歐洲的網(wang)站(zhan)用(yong)戶群共同評選出得(de)獎者(zhe)。歷時數月，于2019年(nian)11月7日(ri)在中國(guo)深圳(zhen)舉辦(ban)“全球(qiu)(qiu)雙峰會”隆重揭曉各大獎項得(de)主。

本屆全(quan)球電子(zi)成(cheng)就獎(jiang)各(ge)類(lei)(lei)獎(jiang)項獲(huo)的(de)提名(ming)的(de)企業及(ji)產品均為行業標桿，瑞(rui)能(neng)(neng)能(neng)(neng)夠在全(quan)球用戶參(can)與的(de)評選(xuan)中(zhong)獲(huo)得產品類(lei)(lei)大獎(jiang)，充分展(zhan)現了(le)瑞(rui)能(neng)(neng)在不(bu)斷(duan)變化的(de)技術世界和(he)競爭激勵的(de)全(quan)球市場里的(de)所表現的(de)敏捷性和(he)創造性，同(tong)時也體現了(le)客戶和(he)業界同(tong)仁對瑞(rui)能(neng)(neng)以及(ji)瑞(rui)能(neng)(neng)全(quan)球跨國團隊的(de)高度認可。

瑞能專注于功率半導體領域, 傳承逾50年的核心技術，全球WeEn代理商銷(xiao)售點(dian)遍布大中華區，歐洲，亞太及美洲，產品應用覆蓋(gai)智能家電，電動(dong)汽車，電腦通訊等行(xing)業(ye)，為客戶(hu)在各自細分行(xing)業(ye)提供可靠專(zhuan)業(ye)的(de)技術支(zhi)持。

瑞能(neng)碳化硅二極管(guan)產(chan)品由一支在該技術領域擁有10多年(nian)經驗的專家團隊設(she)計。結合瑞能(neng)在封測和應用(yong)方(fang)面的專業知識，瑞能(neng)已開發并將繼續(xu)豐富(fu)碳化硅器件產(chan)品組合。

此(ci)次(ci)獲獎的瑞能(neng)1200V碳化(hua)硅系列與硅基二極(ji)管相比，具有較(jiao)低(di)的反向恢復電荷，較(jiao)高(gao)的結工作溫度能(neng)力(li)（Tj（max）= 175°C）以及在高(gao)頻下具有高(gao)度穩定和快速的開關性能(neng)。

不斷創新和發展(zhan)碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)二極管(guan)(guan)產品(pin)，瑞(rui)(rui)能半導體(ti)旨在(zai)將好處帶給(gei)更(geng)多的(de)(de)應用領域。繼碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)650V系列之后(hou)，瑞(rui)(rui)能開(kai)(kai)發業界領先的(de)(de)1200V碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)二極管(guan)(guan)，為電源應用提(ti)供了高性能的(de)(de)解決方案。碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)二極管(guan)(guan)的(de)(de)產品(pin)組合(he)滿足了瑞(rui)(rui)能各類客戶在(zai)以(yi)下各種應用中的(de)(de)需求：功率因數校(xiao)正/開(kai)(kai)關模(mo)式電源（SMPS）/ UPS / PV逆變器(qi)/電動機驅動器(qi)。

使用碳化(hua)硅(gui)(gui)二(er)極管可(ke)使功(gong)率轉換系統在更高的(de)頻率下工作(zuo)功(gong)率密(mi)度更高，并減小了(le)磁性(xing)元(yuan)件(jian)的(de)重量和(he)尺寸。與(yu)市場上的(de)其他競爭對手相比，強大的(de)抗浪涌沖擊能(neng)力(li)和(he)抗雪(xue)崩能(neng)力(li)確(que)保了(le)瑞能(neng)碳化(hua)硅(gui)(gui)二(er)極管的(de)強健(jian)性(xing)和(he)魯棒性(xing)。在相關的(de)SIC MOSFET / Si IGBT模塊中替換硅(gui)(gui)基二(er)極管可(ke)減少功(gong)耗(hao)。較高的(de)熱性(xing)能(neng)降(jiang)低了(le)對冷卻(que)系統的(de)需(xu)求，同時由于反(fan)向恢復時間短，可(ke)降(jiang)低電磁干擾的(de)問題。

作為(wei)全球功(gong)率(lv)(lv)半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)行(xing)業的(de)佼佼者(zhe)，瑞(rui)能(neng)(neng)(neng)始終專(zhuan)注于研(yan)發行(xing)業領先、廣泛且深入的(de)功(gong)率(lv)(lv)半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)產(chan)品組合，包括(kuo)：碳化硅二極(ji)管，可(ke)控硅整流(liu)器和(he)三(san)端雙向可(ke)控硅、功(gong)率(lv)(lv)二極(ji)管、高(gao)壓晶(jing)體(ti)(ti)管等。瑞(rui)能(neng)(neng)(neng)致力(li)于為(wei)消(xiao)費(fei)/工業/汽車應(ying)用(yong)領域(yu)(yu)的(de)客(ke)戶(hu)提(ti)供具(ju)有高(gao)耐用(yong)性和(he)較低功(gong)率(lv)(lv)損耗的(de)功(gong)率(lv)(lv)半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)產(chan)品，同時幫(bang)助(zhu)客(ke)戶(hu)提(ti)高(gao)成本效益和(he)生產(chan)效率(lv)(lv)，促進(jin)中國(guo)及全球智能(neng)(neng)(neng)制(zhi)造行(xing)業的(de)發展和(he)創新。瑞(rui)能(neng)(neng)(neng)半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)將一如既往地為(wei)不同領域(yu)(yu)的(de)客(ke)戶(hu)提(ti)供全球領先的(de)功(gong)率(lv)(lv)半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)解(jie)決(jue)方案(an)，助(zhu)力(li)客(ke)戶(hu)獲得項目成功(gong)。瑞(rui)能(neng)(neng)(neng)半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)將抓住(zhu)功(gong)率(lv)(lv)半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)發展的(de)契(qi)機，提(ti)供更高(gao)價值的(de)產(chan)品和(he)創新解(jie)決(jue)方案(an)。