Micro Commercial Components 高性能 SiC 肖特(te)基二(er)極(ji)管可提供高效率和(he)高達 +175°C 的(de)耐(nai)高溫性能。這(zhe)些(xie)二(er)極(ji)管與 650 V 超結 MOSFET 一起(qi)構成了一個完(wan)整的(de)具有成本效益的(de)分立解決方案。這(zhe)些(xie) SiC 二(er)極(ji)管提供 650 V (2 A/4 A) 和(he) 1200 V (2 A/5 A/10 A/20 A) 版(ban)本。可用的(de)封裝（TO-220、TO-247 和(he) DPAK）、其他電流等級和(he)外(wai)殼正在接受認證(zheng)。這(zhe)些(xie) SiC 二(er)極(ji)管的(de)典(dian)型應(ying)用是用于太陽能和(he)運動控制的(de)逆變器(qi)、UPS、Telekom 基站、功率因(yin)數校正 (PFC) 和(he)照(zhao)明應(ying)用。
特性
極低的開關損耗
開關頻率更高
平行應用的正溫度系數
比(bi)標準肖特基二極(ji)管(guan)效(xiao)率更高
最高工(gong)作溫(wen)度可(ke)達(da) +175°C
最高電壓達(da) 1200 V
應用
太陽能和運動控制(zhi)逆變器
UPS
電信基站
PFC 和照明應用
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