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鎧俠 (Kioxia，原(yuan)東(dong)芝半導體Toshiba)和西部數據(ju)(Western Digital Corp, NASDAQ: WDC)今天宣布，兩(liang)家(jia)公司(si)已經(jing)開發出第(di)六代，162層(ceng)3D閃存(cun)技術(shu)。這標志著(zhu)兩(liang)家(jia)公司(si)20年合資(zi)伙伴關系(xi)的(de)下(xia)一(yi)個里(li)程(cheng)碑，這是兩(liang)家(jia)公司(si)迄今為止密(mi)度最(zui)高(gao)、最(zui)先進的(de)3D閃存(cun)技術(shu)，采(cai)用了廣泛的(de)技術(shu)和制造創新。

鎧(kai)俠集(ji)團首席技術官百冨(fu)正樹（Masaki Momodomi）表示：“通過鎧(kai)俠和西部數(shu)(shu)據二十年來的(de)(de)牢固伙(huo)伴關系(xi)，我(wo)們(men)在制造和研發方(fang)面成(cheng)功(gong)地(di)創(chuang)造了無與倫比的(de)(de)能力。我(wo)們(men)共同生產了超過30%(1)的(de)(de)全球閃存（以(yi)比特換算），并堅定不移(yi)地(di)以(yi)極具競爭力的(de)(de)成(cheng)本提供卓越的(de)(de)容量、性能和可靠(kao)性。從個人電子產品(pin)到(dao)數(shu)(shu)據中(zhong)(zhong)心，以(yi)及由(you)5G網絡(luo)、人工智能和自主系(xi)統促成(cheng)的(de)(de)新興(xing)應(ying)用中(zhong)(zhong)，我(wo)們(men)雙方(fang)都在一系(xi)列以(yi)數(shu)(shu)據為中(zhong)(zhong)心的(de)(de)應(ying)用中(zhong)(zhong)提供這一價值(zhi)主張。”

超越(yue)垂直(zhi)細微化–新架(jia)構創(chuang)新

Western Digital技(ji)術與(yu)戰略部總裁Siva Sivaram博(bo)士表示：“隨著(zhu)摩爾定律(lv)(lv)在(zai)(zai)整個半導體行業達到(dao)其物理極限，摩爾定律(lv)(lv)在(zai)(zai)某(mou)個地方(fang)仍(reng)保持(chi)著(zhu)相關(guan)性(xing)，那(nei)就是閃存。為了(le)繼續進步并滿足全球不斷增長的(de)(de)(de)數據需(xu)(xu)求，一(yi)種新(xin)的(de)(de)(de)3D閃存細(xi)(xi)微(wei)化方(fang)法至(zhi)關(guan)重(zhong)要。鎧(kai)俠和西(xi)部數據在(zai)(zai)該新(xin)一(yi)代產(chan)品中(zhong)引入了(le)在(zai)(zai)垂直方(fang)向和平面方(fang)向上(shang)的(de)(de)(de)細(xi)(xi)微(wei)化創新(xin)，以便在(zai)(zai)較(jiao)小的(de)(de)(de)裸(luo)片上(shang)以較(jiao)少的(de)(de)(de)層數實現更大(da)的(de)(de)(de)容量。這項創新(xin)最(zui)終將提供(gong)客戶所需(xu)(xu)的(de)(de)(de)性(xing)能、可(ke)靠(kao)性(xing)和成本。”

這款(kuan)第(di)六代(dai)3D閃(shan)存具有超越(yue)傳統八列(lie)(lie)存儲(chu)孔陣列(lie)(lie)的先進架構，與第(di)五代(dai)技(ji)術相比，平面單(dan)元陣列(lie)(lie)密度最多提高了(le)(le)10%。這種平面方向上(shang)的細微(wei)化(hua)技(ji)術進步(bu)與162層垂直堆疊(die)相結合，裸片尺寸與112層堆疊(die)技(ji)術相比減少40%，從而優(you)化(hua)了(le)(le)成(cheng)本。

鎧(kai)俠和西(xi)部(bu)數據團隊還(huan)應用了(le)Circuit Under Array CMOS配置和4Plane操作，與上一代相(xiang)比，這兩項(xiang)技術在(zai)寫性能(neng)方面提高了(le)近(jin)2.4倍，在(zai)讀(du)取延遲方面縮短了(le)10%。此外，I/O性能(neng)也提高了(le)66%，使下一代接口能(neng)夠支持不斷增長的(de)對更快傳輸速率的(de)需求。

總(zong)體而言，與(yu)上一(yi)代相比(bi)，新的(de)3D閃存技術(shu)降低了每(mei)比(bi)特成(cheng)本，并且將每(mei)片(pian)晶圓可(ke)制造的(de)比(bi)特數提高了70%。鎧俠和西(xi)部數據將繼續推動(dong)創新，確保(bao)持續細(xi)微(wei)化(hua)(hua)以滿(man)足客戶及(ji)其多樣化(hua)(hua)應用的(de)需(xu)求。

在今天早(zao)些(xie)時候(hou)的ISSCC 2021 展會上，兩家公司聯(lian)合發(fa)表了相關(guan)的創新成果(guo)。

關于鎧俠集團

鎧俠(Kioxia)是(shi)存(cun)(cun)儲器解決方(fang)(fang)案(an)的全球(qiu)領(ling)導者，致力于開(kai)發、生產(chan)和銷售閃(shan)存(cun)(cun)及固態(tai)硬盤(pan)(SSD)。東(dong)(dong)芝于1987年(nian)發明(ming)了NAND閃(shan)存(cun)(cun)，2017年(nian)4月，鎧俠前(qian)身東(dong)(dong)芝存(cun)(cun)儲器(Toshiba Memory)從東(dong)(dong)芝剝離。鎧俠致力于通(tong)(tong)過提供產(chan)品、服(fu)務和系統，為客戶創造(zao)(zao)選(xuan)擇，為社會創造(zao)(zao)基于內存(cun)(cun)的價值，從而通(tong)(tong)過內存(cun)(cun)技(ji)(ji)術改(gai)變世界(jie)。鎧俠創新的3D閃(shan)存(cun)(cun)技(ji)(ji)術BiCS FLASH™正在(zai)塑(su)造(zao)(zao)諸多高(gao)密度應用的未來存(cun)(cun)儲方(fang)(fang)式，其中(zhong)包括(kuo)高(gao)級智能手機、PC、SSD、汽車和數據中(zhong)心。

關于西部數據

西部(bu)數(shu)據(ju)(ju)(ju)(Western Digital)致力于創造讓數(shu)據(ju)(ju)(ju)得以蓬勃(bo)發展的環境。作為(wei)數(shu)據(ju)(ju)(ju)基礎設施的領(ling)導者，公司不斷推(tui)動(dong)必要的創新，以幫助客(ke)戶捕獲、保存、訪問和(he)(he)轉換日益多樣化的數(shu)據(ju)(ju)(ju)。從先(xian)進的數(shu)據(ju)(ju)(ju)中(zhong)心(xin)到移動(dong)傳感器再(zai)到個人設備等數(shu)據(ju)(ju)(ju)無處(chu)不在的場合，我(wo)們以業(ye)界領(ling)先(xian)的解決(jue)方案提供無限的數(shu)據(ju)(ju)(ju)可能性。西部(bu)數(shu)據(ju)(ju)(ju)以數(shu)據(ju)(ju)(ju)為(wei)中(zhong)心(xin)的解決(jue)方案包括Western Digital®、G-Technology™、SanDisk®和(he)(he)WD®品牌。

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