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Insignis 的 DDR3/3L SDRAM 器件采用(yong)了(le)其專有的擴展測試流程，可確保在(zai)升(sheng)高的結溫下(xia)工作(zuo)。

Insignis 工業(ye)和(he)擴(kuo)(kuo)展(zhan)測(ce)試級 DDR3/3L SDRAM 圖片這些工業(ye)和(he)擴(kuo)(kuo)展(zhan)測(ce)試級器件屬高速 DDR3/3L 同步 DRAM，通過了 Insignis 專有的(de)擴(kuo)(kuo)展(zhan)測(ce)試流程(cheng)，減少(shao)了早期(qi)故障，并具有確保工業(ye)用途的(de)優質(zhi)質(zhi)量和(he)長期(qi)可靠性。該芯片設計(ji)符合(he)所有 DDR3L DRAM 的(de)關鍵特性，包括(kuo)與 DDR3 的(de)完全向后兼(jian)容性，唯一(yi)(yi)的(de)例外是 1 Gb DDR3 零(ling)件和(he) 1 Gb DDR3L 零(ling)件之間所需的(de)電(dian)壓。所有控制和(he)地址輸入都與一(yi)(yi)對外部提(ti)供的(de)差分時鐘(zhong)同步。輸入在差分時鐘(zhong)的(de)交叉(cha)點（CK 上升和(he) CK# 下降）被鎖(suo)定。所有 I/O 均可以源同步方式與差分 DQS 對同步。

所有(you) 2 Gb DDR3 零(ling)件均(jun)由 2 Gb DDR3L 覆蓋。2 Gb DDR3 和 DDR3L 零(ling)件采用 +1.35 V 至 0.067 V/+0.1 V 單電(dian)(dian)源供電(dian)(dian)。1 Gb DDR3 零(ling)件的(de)所需電(dian)(dian)壓為(wei) 1.5 V，而(er) 1 Gb DDR3L 零(ling)件的(de)所需電(dian)(dian)壓為(wei) 1.35 V。所有(you)零(ling)件均(jun)可采用 BGA 封裝。

特性

Insignis 專有的(de)(de)擴(kuo)展(zhan)測試流程提高(gao)了質量，確保了在升高(gao)的(de)(de)結溫下正常(chang)運行

JEDEC 標準直接替代(dai)零件(jian)

提供符(fu)合 AECQ-100 的版本(ben)

工作溫度范圍

擴展測試 (ET) ：0°C 至 +85°C

工(gong)業 (IT)：-40°C 至 +95°C（最高可達(da) +105°C）

提供 1 GB 和 2 GB 容量選擇

工作溫度范圍

支(zhi)持 JEDEC 時鐘(zhong)抖動規范

ZQ 校準

8n 位預取架構

符合 RoHS 規范

預充電和主動斷電

可編(bian)程猝發長(chang)度：4，8

可編程模式和擴展模式寄存器

輸出驅動器阻抗控制

自動刷新和自我刷新

預充電和主動斷電

無鉛和無鹵素封裝

寫入均衡

應用

工業

工廠自動化

游戲機

嵌入式控制板

工業 PC

醫療

印刷

通信/監控

遠程/現場監控設備

門禁系統/安防

相機

計量

汽車/運輸

航空

鐵路

船舶

駕駛員信息系統

信息娛樂

電信/網絡

蜂窩天線

路由器和交換機

網絡存儲

有關樣品、詳細規格、價格和交貨報價及更多信息，請聯系當地的Insignis代理商進行詢問。