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ISSI 的閃存器件非(fei)常適(shi)合需要高(gao)可(ke)靠性的性能(neng)導(dao)向(xiang)應用。

ISSI 的(de) IS34ML/MW SLC NAND 閃存的(de)圖片ISSI 的(de) IS34ML 和 IS34MW 系(xi)列(lie)(lie) NAND 產品(pin)為(wei)嵌入式市場補充了串行(xing)和并(bing)行(xing) NOR 產品(pin)。ML (3.0 V) 系(xi)列(lie)(lie)和 MW (1.8 V) 系(xi)列(lie)(lie) SLC NAND 器件的(de)密度(du)分別為(wei) 1 Gb、2 Gb 和 4 Gb。

SLC NAND 閃存器件非常適合需要高可(ke)靠性(xing)(xing)的性(xing)(xing)能導向應(ying)用。SLC 每(mei)個(ge)存儲單元(yuan)存儲 1 位數(shu)據，并(bing)提(ti)供快速(su)讀寫功(gong)能。這(zhe)些產品適用于要求(qiu) 1 位或 4 位 ECC 算法的系(xi)統，并(bing)提(ti)供 100 K 周期的耐久性(xing)(xing)和 10 年的保留期。

特性

供電電壓：

VCC: 2.7 V 至 3.6 V（IS34ML 系(xi)列）

VCC: 1.7 V 至 1.95 V（IS34MW 系列）

靈活的(de) x8 或(huo) x16 選擇

均勻的高性價比塊

塊擦除時(shi)間：3 ms（典(dian)型(xing)值）

自動讀操作

硬件數據保護

100 K 編程/擦除周期

數據保持時間：10 年(nian)

支持(chi)每 512 字節 1 位(wei)或 4 位(wei) ECC

工業溫度范圍：-40°C 至 +85°C

擴展(zhan)溫度范圍：-40°C 至 105°C

行(xing)業標準封裝：48 引(yin)腳(jiao) TSOP 和 63 引(yin)腳(jiao) (9 mm x 11 mm BGA)

應用

汽車信息娛樂

儀表組

ADAS

工業儀表

工業傳感器

M2M

POS 終端

智能計量

游戲機

打印機

數碼相機

數字電視

機頂盒