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海(hai)力士半導體公司（hynix ）今天宣布，將開始使用其領先(xian)的 0.10 微米(mi)工藝(yi)技術在(zai)其下一(yi)代(dai) Golden Chip 平臺上開始批量生(sheng)產。

使用其 0.10 微米金芯片工藝技術，海力士將主要專注于 512Mb DDR 和 512Mb DDR2 SDRAM 的生產，隨后將在 2003 年下半年推出 1Gb DDR2 SDRAM。海力士最初使用其 256Mb DDR SDRAM 來開發和評估其金芯平臺技術。“我們預計 0.10 微米工藝將占 2003 年海力士產量的近 20%，到 2004 年將達到 65%，”SK Hynix代理商海力士(shi)全(quan)球營銷副總裁 Farhad Tabrizi 說(shuo)。

海力士目前的(de)(de)(de)大部分(fen)生產(chan)(chan)都在使(shi)用其(qi) Prime Chip .13 微(wei)米平(ping)臺。通過有(you)效利用現有(you)設(she)備，Golden Chip 技(ji)(ji)術(shu)允許以最少(shao)的(de)(de)(de)資本(ben)支出額外(wai)投(tou)資量(liang)產(chan)(chan) 0.10 微(wei)米技(ji)(ji)術(shu)產(chan)(chan)品。該公(gong)司估計，與競爭(zheng)對手相(xiang)比(bi)，使(shi)用其(qi) 0.10 微(wei)米技(ji)(ji)術(shu)將減少(shao) 50% 的(de)(de)(de)總體投(tou)資需求，與 0.13 微(wei)米 Prime Chip 技(ji)(ji)術(shu)相(xiang)比(bi)，每片晶圓的(de)(de)(de)裸片數量(liang)將增(zeng)加(jia) 40%，從而保持海力士的(de)(de)(de)競爭(zheng)力在成本(ben)和技(ji)(ji)術(shu)上的(de)(de)(de)地(di)位。