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GeneSiC發布6.5kV碳化硅MOSFET，在提供前所未有的(de)性能(neng)水平方面處于領(ling)先地位, 牽引等中(zhong)壓(ya)功率(lv)轉換應用(yong)的(de)效率(lv)和可靠(kao)性, 脈沖電源和智能(neng)電網基礎設(she)施.

GeneSiC半導體(ti), 廣泛的碳化硅的先(xian)驅和全(quan)球供應(ying)商 (碳化硅) 功率半導體(ti), 今(jin)天宣(xuan)布宣(xuan)布立即供貨6.5kV SiC MOSFET裸芯片– G2R300MT65-CAL和G2R325MS65-CAL. 利用該技術的全(quan)碳化硅模塊即將(jiang)發布. 預(yu)計應(ying)用將(jiang)包括牽引力, 脈沖功率, 智能電網基礎設施和其他中壓功率轉(zhuan)換(huan)器.

G2R300MT65-CAL – 6.5kV300mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

G2R325MS65-CAL – 6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (與(yu)集成肖特基) 裸芯片

G2R100MT65-CAL – 6.5kV100mΩG2R™SiC MOSFET裸芯(xin)片

GeneSiC的(de)創新特色是SiC雙注(zhu)入金屬氧化(hua)物半導體 (場效應管) 結勢壘肖特基器件結構 (JBS) 整(zheng)流器集成(cheng)(cheng)到SiC DMOSFET單元電池中(zhong). 這種(zhong)領(ling)先的(de)功(gong)率器件可用(yong)于(yu)下一代功(gong)率轉換(huan)(huan)系(xi)統中(zhong)的(de)各(ge)種(zhong)功(gong)率轉換(huan)(huan)電路中(zhong). 其他重要優勢包括更高(gao)效的(de)雙向(xiang)性(xing)能, 溫度獨(du)立開關, 低(di)開關損耗(hao)和傳(chuan)導損耗(hao), 降低(di)冷卻要求, 出(chu)色的(de)長期可靠性(xing), 易于(yu)并聯設備并節省成(cheng)(cheng)本(ben). GeneSiC的(de)技術(shu)不(bu)僅具有出(chu)色的(de)性(xing)能，而且還具有減(jian)少功(gong)率轉換(huan)(huan)器中(zhong)SiC凈材料足(zu)跡的(de)潛(qian)力.

“GeneSiC的6.5kV SiC MOSFET在6英寸晶圓上設計和制造，以實現低導通電阻, 最好的質量, 和卓越的性價比指標. 下一代MOSFET技術可提供出色的性能, 在中壓功率轉換應用中具有出色的耐用性和長期可靠性。” 說過 博士. 西達斯·孫達雷森, GeneSiC代理商.

GeneSiC的6.5kV G2R™SiC MOSFET技(ji)術(shu)特性 –

高雪崩(beng) (統計(ji)研究所) 和短路(lu)堅固性

上級QG 設DS(上) 品質因(yin)數

溫度無關的開關損耗

低電容和低柵極電荷

在所有溫度下損耗低

常(chang)關穩(wen)定工作溫度高達175°C

+20 V / -5 V門驅動(dong)