


模擬半(ban)導(dao)體設計創新領導(dao)者 Advanced Linear Devices Inc. (ALD) 今(jin)天(tian)宣布推出(chu)一款零柵極閾值電(dian)(dian)壓 EPAD P 溝道(dao) MOSFET 陣列(lie),推出(chu)業界首個精密亞閾值電(dian)(dian)路。MOSFET 目前具有業界最低(di)的 0.2 伏 (V) 工作電(dian)(dian)壓和(he)小(xiao)于 1 納(na)安(an) (nA) 的電(dian)(dian)流。這些芯片(pian)實現了能量收集(ji)和(he)物聯(lian)網 (IoT) 傳感器(qi)應用的下一代開發所需的工作區(qu)域。
ALD310700A/ALD310700 四通道零閾(yu)(yu)(yu)值 MOSFET 旨在開發利用(yong) 0.00V 零閾(yu)(yu)(yu)值電(dian)壓的(de)小(xiao)信(xin)號精密應(ying)用(yong)。該(gai)電(dian)路(lu)非(fei)常適合需要< +0.5V 電(dian)源的(de)極低工(gong)作(zuo)電(dian)壓的(de)設計。有史以來第一(yi)次允許電(dian)路(lu)在亞閾(yu)(yu)(yu)值區域工(gong)作(zuo),將(jiang) MOSFET 的(de)工(gong)作(zuo)范圍擴大(da)到前所(suo)未有的(de)信(xin)號電(dian)平。
新的(de)(de) MOSFET 簡化(hua)了電路偏(pian)置方案并減少(shao)了元件數量,同時為物(wu)聯網工程師提供了更高的(de)(de)傳感器(qi)(qi)應用精(jing)度和(he)靈敏度。在匹配的(de)(de)傳感器(qi)(qi)應用中,P 溝道(dao) MOSFET 可以(yi)與 ALD N 溝道(dao)零閾(yu)值 MOSFET 器(qi)(qi)件一起工作。ALD310700A/ALD310700 是流行的(de)(de) ALD110800A/ALD110800 精(jing)密零閾(yu)值 N 通道(dao)器(qi)(qi)件的(de)(de) P 通道(dao)版本。這兩個 MOSFET 系列共同提供互補(bu)的(de)(de)精(jing)度性能。這些互補(bu)的(de)(de)配對器(qi)(qi)件支持設(she)計精(jing)度為 0.5% 的(de)(de)電流鏡、電流源(yuan)以(yi)及參(can)考電源(yuan)或(huo)接地(di)源(yuan)的(de)(de)電路,包括差分放大器(qi)(qi)輸(shu)入級、傳輸(shu)門和(he)多路復用器(qi)(qi)。
顯著的設備特點:
• 精密(mi)失調電壓(VOS):最大2mV,最大10mV。
• 低于 0.2V 的最低工作電壓
• 低于 1nA 的(de)超低最低工作電流
• 匹配和跟蹤溫(wen)度特性
“這(zhe)些(xie)器件(jian)的(de)(de)(de)工作(zuo)功率(lv)比(bi)同類 MOSFET 陣(zhen)列低 100 倍。更(geng)重要(yao)(yao)的(de)(de)(de)是,它們支持(chi)下一代應用的(de)(de)(de)功率(lv)水(shui)平和(he)精(jing)度,這(zhe)在以(yi)前是不可能(neng)的(de)(de)(de),”Advanced Linear Devices 總裁(cai)兼創始(shi)人(ren) Robert Chao 說。“這(zhe)些(xie)陣(zhen)列為在需要(yao)(yao)匹配傳感器活動的(de)(de)(de)物(wu)聯網(wang)節點上工作(zuo)的(de)(de)(de)電(dian)路設計人(ren)員提供了一種從(cong)超級電(dian)容器或(huo)深循環電(dian)池收集(ji)電(dian)力(li)的(de)(de)(de)方法(fa)。”
例如(ru)(ru),一些潛在的(de)能量(liang)收(shou)集(ji)源(yuan),例如(ru)(ru)僅產生 0.2V 的(de)熱電(dian)(dian)發(fa)電(dian)(dian)機,產生的(de)能量(liang)非常(chang)低,以至(zhi)于它們幾乎不能用于驅(qu)動電(dian)(dian)子(zi)電(dian)(dian)路中的(de)電(dian)(dian)源(yuan)。ALD P 通(tong)道零閾值 (VGS(th)=0.00) EPAD MOSFET 陣列可與(yu)低壓(ya)升壓(ya)轉換器(qi)耦合,為低電(dian)(dian)平電(dian)(dian)源(yuan)提供更大(da)范(fan)圍的(de)能量(liang)收(shou)集(ji)源(yuan)。
該器件提供四通道版本,是 EPAD® 匹配對 MOSFET 系列的成員。零件可以從 ALD代理商 訂購,也可以直接從 ALD 訂購批量訂購的(de)零件。100 件起價為 2.00 美元。


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