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模(mo)擬半導體(ti)設(she)計創(chuang)新領(ling)導者 Advanced Linear Devices Inc. 今天宣布推出其雙精度 CMOS 電壓比較(jiao)器(qi)(qi)，該比較(jiao)器(qi)(qi)提供(gong)業界首(shou)創(chuang)的集(ji)成精密(mi)前置放大器(qi)(qi)和輸出驅動器(qi)(qi)。使用 EPAD® 技術(shu)，ALD 集(ji)成了(le)組(zu)件并減小(xiao)了(le)裸片(pian)尺寸，以(yi)提供(gong)采用行業標準(zhun) 8 引腳(jiao) SOIC 封裝的器(qi)(qi)件，從而為系(xi)統設(she)計人員在簡化(hua)設(she)計和最小(xiao)化(hua)各種(zhong)精密(mi)應用的電路板空間方面提供(gong)了(le)額外(wai)的靈活性(xing)。

ALD2331/ALD2331A/ALD2331B 系(xi)列電(dian)壓(ya)比(bi)較(jiao)器(qi)提供超低(di)失(shi)調電(dian)壓(ya)和失(shi)調電(dian)流。該比(bi)較(jiao)器(qi)采用(yong)先進(jin)的硅柵 EPAD® CMOS 技術構建(jian)，適用(yong)于高性能、高精度模擬應用(yong)，例如需要低(di)待機功(gong)耗和高輸出電(dian)流能力的低(di)電(dian)平信號檢(jian)測電(dian)路。

該器(qi)件具(ju)有(you) 1012Ω 的高典型輸入(ru)阻(zu)抗、10pA 的低(di)輸入(ru)偏置電(dian)流和 750ns 的快速響應時間，輸入(ru)階躍信號(hao)僅(jin)為 10mV。ALD EPAD 電(dian)壓比較器(qi)還具(ju)有(you) 55uA 的低(di)功耗(hao)和單 +5V 或雙(shuang)電(dian)源(yuan)操作。

ALD 首席執行(xing)(xing)官兼總裁 Bob Chao 表示(shi)：“ALD 將其(qi) EPAD 技術(shu)(shu)應用于行(xing)(xing)業標(biao)準的(de)(de)(de)電(dian)(dian)壓(ya)比較器設計，并且能(neng)夠減小(xiao)其(qi)尺寸并將三個(ge)組(zu)(zu)件組(zu)(zu)合在一(yi)個(ge)封裝(zhuang)中。” “這款電(dian)(dian)壓(ya)比較器的(de)(de)(de)集(ji)成度(du)為(wei)設計人員提供了前(qian)所未有的(de)(de)(de)靈活性(xing)，可以簡化(hua)他(ta)們的(de)(de)(de)設計并最(zui)大限度(du)地減少電(dian)(dian)路(lu)板空間。ALD 的(de)(de)(de) EPAD 精(jing)密(mi)微調技術(shu)(shu)使我們能(neng)夠顯著(zhu)改(gai)進(jin)設備特性(xing)和性(xing)能(neng)，從而使設計人員能(neng)夠改(gai)進(jin)他(ta)們的(de)(de)(de)系統設計。 "

該器(qi)件的(de)輸入電(dian)壓(ya)包括地，因(yin)此(ci)非常(chang)適合(he)用于具(ju)有(you)高(gao)(gao)源(yuan)阻抗(kang)的(de)低電(dian)平信(xin)號檢測。輸出為開漏配置，可實現最大的(de)應用靈活性。這些特性非常(chang)適合(he)高(gao)(gao)源(yuan)阻抗(kang)電(dian)壓(ya)比(bi)較電(dian)路、雙限制窗口(kou)比(bi)較器(qi)、電(dian)源(yuan)電(dian)壓(ya)監視(shi)器(qi)、光電(dian)探測器(qi)傳感(gan)器(qi)電(dian)路等應用。

ALD2331/ALD2331A/ALD2331B 雙通道精密 CMOS 電壓比較器ALD代理商現已(yi)開始供(gong)貨，訂購 1,000 片時起(qi)價為 1.47 美元。