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圖片信息
TPC8012-H(TE12L,Q)圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：TPC8012-H(TE12L,Q)
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
  • 技術標準參數：MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
  • 產品應用分類：單端場效應管
  • 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
    • 技術參數詳解：
  • 東芝半導體公司完整型號：TPC8012-H(TE12L,Q)
  • 制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
  • 系列：-
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：200V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：1.8A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 900mA，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：440pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：-
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
  • 供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）
  • TPC8012-H(TE12L,Q)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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