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圖片信息
K4B2G0846F-BYNB圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：K4B2G0846F-BYNB
  • 原始制造廠商：Samsung，三星半導體
  • 技術標準參數：SAMSUNG DRAM NAND
  • 產品應用分類：雙倍數據率同步動態隨機存儲器
  • 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
    • 技術參數詳解：
  • 三星芯片型號：K4B2G0846F-BYNB
  • 制造商：SAMSUNG（三星半導體）
  • 功能類別：雙倍數據率同步動態隨機存儲器
  • 容量：2Gb
  • 架構：256M x 8
  • 速率：2133 Mbps
  • 工作電壓：1.35 V
  • 工作溫度：0 ~ 85 °C
  • 封裝：78FBGA
  • 產品狀態：批量生產
  • K4B2G0846F-BYNB均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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