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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：STGD3NB60SD-1

原始制造廠商：ST，意法半導體

技術標準參數：IGBT 600V 6A 48W DPAK

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：STGD3NB60SD-1

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 6A 48W DPAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：PowerMESH?

零件狀態：停產

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：6A

電流-集電極脈沖(Icm)：25A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 15V，3A

功率-最大值：48W

開關能量：1.1mJ（開），1.15mJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：18nC

25°C時Td（開/關）值：125μs/3.4μs

測試條件：480V，3A，1 千歐，15V

反向恢復時間(trr)：1.7μs

工作溫度：175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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