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圖片信息
STGD18N40LZT4圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:STGD18N40LZT4
  • 原始制造廠商:ST,意法半導體
  • 技術標準參數:IGBT 420V 25A 125W DPAK
  • 產品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 現貨供應,最快當日出貨,滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求!
  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:STGD18N40LZT4
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT 420V 25A 125W DPAK
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:Automotive, AEC-Q101, PowerMESH?
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):420V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):25A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):40A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.7V @ 4.5V,10A
  • 功率-最大值:125W
  • 開關能量:-
  • 輸入類型:邏輯
  • 柵極電荷:29nC
  • 25°C時Td(開/關)值:650ns/13.5μs
  • 測試條件:300V,10A,5V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
  • STGD18N40LZT4均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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