深圳市南皇電子有限公司長期提供NGTB30N60SWG（品牌: ON）充足現貨訂購、免費樣品
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基本技術信息：
電子器件型號：NGTB30N60SWG
原始制造廠商：ON，ON安森美半導體
技術標準參數：IGBT 600V 60A 189W TO247
產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
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技術參數詳解：
制造商產品型號：NGTB30N60SWG制造商：ON Semiconductor描述：IGBT 600V 60A 189W TO247系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：停產IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：60A電流-集電極脈沖(Icm)：120A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，30A功率-最大值：189W開關能量：750μJ（開），540μJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：90nC25°C時Td（開/關）值：57ns/109ns測試條件：400V，30A，10 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：200ns工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-247-3NGTB30N60SWG均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
