深圳市南皇電子有限公司長期提供FAM65HR51DS2(品牌: ON)充足現貨訂購、免費樣品
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基本技術信息:
電子器件型號:FAM65HR51DS2
原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
技術標準參數:IGBT MODULE 650V 33A 135W
產品應用分類:晶體管 - IGBT - 模塊
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技術參數詳解:
制造商產品型號:FAM65HR51DS2制造商:ON Semiconductor描述:IGBT MODULE 650V 33A 135W系列:晶體管 - IGBT - 模塊零件狀態:有源IGBT類型:-配置:半橋逆變器電壓-集射極擊穿(最大值):650V電流-集電極(Ic)(最大值):33A功率-最大值:135W不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):-電流-集電極截止(最大值):-不同?Vce時輸入電容(Cies):4.86nF @ 400V輸入:標準NTC熱敏電阻:無工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:-FAM65HR51DS2均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!