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圖片信息
FF200R12KT3EHOSA1圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：FF200R12KT3EHOSA1
  • 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
  • 技術標準參數：IGBT MODULE 1200V 1050W
  • 產品應用分類：晶體管 - IGBT - 模塊
  • 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
    • 技術參數詳解：
  • 制造商產品型號：FF200R12KT3EHOSA1
  • 制造商：Infineon Technologies
  • 描述：IGBT MODULE 1200V 1050W
  • 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
  • 零件狀態：有源
  • IGBT類型：-
  • 配置：2 個獨立式
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：-
  • 功率-最大值：1050W
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，200A
  • 電流-集電極截止（最大值）：5mA
  • 不同?Vce時輸入電容(Cies)：14nF @ 25V
  • 輸入：標準
  • NTC熱敏電阻：無
  • 工作溫度：-40°C ~ 125°C
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝：模塊
  • FF200R12KT3EHOSA1均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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