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圖片信息
IXFN38N100Q2圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:IXFN38N100Q2
  • 原始制造廠商:IXYS
  • 技術標準參數:MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
  • 產品應用分類:場效應管模塊
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  • 技術參數詳解:
  • IXYS公司完整型號:IXFN38N100Q2
  • 制造廠家名稱:IXYS
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
  • 系列:HiPerFET?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):38A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):250 毫歐 @ 19A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):250nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):7200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:890W
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應商器件封裝:SOT-227B
  • IXFN38N100Q2均從IXYS代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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